研究者
J-GLOBAL ID:200901021046105589   更新日: 2024年02月21日

柿本 浩一

カキモト コウイチ | Kakimoto Koichi
所属機関・部署:
職名: 教授
ホームページURL (1件): http://www.riam.kyushu-u.ac.jp/nano/index.html
研究分野 (4件): 無機材料、物性 ,  電気電子材料工学 ,  結晶工学 ,  応用物性
研究キーワード (5件): 電子材料工学 ,  結晶成長 ,  Inorganic Material ,  Electronic Material ,  Crystal Engineering
競争的資金等の研究課題 (17件):
  • 2022 - 2025 融液成長の限界を超越する新規ルツボフリー成長法によるGa2O3の成長と欠陥評価
  • 2018 - 2021 速度論的表面エネルギーを考慮したSiC多形制御結晶成長プロセス
  • 2016 - 2019 マルチレベルフィジックスによる超高予測精度結晶成長シミュレータの実現
  • 2015 - 2017 ワイドバンドギャップ材料の欠陥定量解析手法の確立
  • 2012 - 2014 省エネ用半導体の実現に向けたマクロナノ統合結晶成長法の確立
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論文 (175件):
  • Koichi Kakimoto, Isao Takahashi, Taketoshi Tomida, Vladimir V. Kochurikhin, Kei Kamada, Satoshi Nakano, Akira Yoshikawa. Study of twisting of β-Ga2O3 crystals based on optical absorption and thermal conductivity anisotropy in the crystals grown by the Czochralski method. Journal of Crystal Growth. 2024. 628
  • Kazuma Miyazaki, Satoshi Nakano, Shin ichi Nishizawa, Koichi Kakimoto. Effect of crucible thermal conductivity on dislocation distribution in crystals in a silicon carbide physical vapor transport furnace. Journal of Crystal Growth. 2023. 603
  • Y. Miyamura, H. Harada, S. Nakano, S. Nishizawa, K. Kakimoto. Carbon monoxide concentrations in a Czochralski growth furnace. Journal of Crystal Growth. 2021. 558
  • Akira Nagaoka, Kenji Yoshino, Koichi Kakimoto, Kensuke Nishioka. Phase diagram of the Ag2SnS3-ZnS pseudobinary system for Ag2ZnSnS4 crystal growth. Journal of Crystal Growth. 2021. 555
  • Takahiro Kawamura, Toru Akiyama, Akira Kitamoto, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Yoshitada Morikawa, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto. Absolute surface energies of oxygen-adsorbed GaN surfaces. Journal of Crystal Growth. 2020. 549. 125868-125868
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MISC (333件):
  • 富澤巧, 川上賢人, 櫻井照夫, 草場彰, 岡本直也, 芳松克則, 醍醐佳明, 水島一郎, 水島一郎, 依田孝, et al. 縦型結晶成長装置におけるGaN MOVPEシミュレーション. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2019. 66th. ROMBUNNO.10p-W541-18
  • 寒川義裕, 草場彰, 白石賢二, 柿本浩一, 纐纈明伯. 窒化物半導体MOVPEの熱力学解析 ~面方位依存性~. 日本結晶成長学会誌. 2017. 43. 4. 233-238
  • Koichi Kakimoto, Bing Gao, Satoshi Nakano, Hirofumi Harada, Yoshiji Miyamura. Silicon bulk growth for solar cells: Science and technology. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2017. 56. 2
  • Koichi Kakimoto, Satoshi Nakano. Recent developments of numerical calculation in crystal growth of SiC. Journal of the Vacuum Society of Japan. 2017. 60. 8. 313-320
  • 佐﨑 元, 灘 浩樹, 成塚 重弥, 長嶋 剣, 川野 潤, 大鉢 忠, 柿本 浩一. 第16回結晶成長国際サマースクール(ISSCG-16)報告 (第18回結晶成長国際会議(ICCGE-18) 第16回結晶成長国際サマースクール(ISSGE-16)特別号). 日本結晶成長学会誌 = Journal of the Japanese Association for Crystal Growth. 2016. 43. 5. 277-284
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特許 (16件):
書籍 (19件):
  • 丸善実験物理学講座4試料作製技術(共著)
    2結晶成長の基礎 2000
  • 現代エレクトロニクスを支える単結晶成長技術(共著)
    2.2融液内熱・物質移動解析 1999
  • 計算力学[(]G0006[)] -電子デバイス/機器設計における計算力学の適用ー(共著)
    第1章 融液の熱流動シミュレーション 1999
  • Crystalline Silicon EDITED BY ROBERT HULL emis DATAREVEWS SERIES
    Si melt convection in a crucible 1999
  • Computational Mechanics [(]G0006[)]
    1999
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Works (6件):
  • 微小動下での融液成長シミュレーション
    1997 -
  • 低消費電力用半導体の創成のためのシミュレーション
    1997 -
  • Simulation of melt growth under micro gravity
    1997 -
  • Simulation for development of low-power semiconductor
    1997 -
  • シリコンの固液界面のダイナミークス
    1996 -
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学歴 (4件):
  • - 1985 東京大学 工学系研究科 電子工学専門課程
  • - 1985 東京大学
  • - 1979 埼玉大学 理工学部 電子工学科
  • - 1979 埼玉大学
学位 (1件):
  • 工学博士 (東京大学)
経歴 (10件):
  • 2022/02 - 現在 東北大学 未来科学技術共同研究センター 特任教授
  • 2021/04 - 2022/01 九州大学 応用力学研究所 特任教授
  • 2001/04 - 2021/03 九州大学 応用力学研究所 教授
  • 1996/10 - 2001/03 九州大学 機能物質科学研究所 助教授
  • 1995 - 1996 東北大学金属材料研究所 客員教授
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委員歴 (5件):
  • 2016/08 - 2023/08 国際結晶成長機構 会長
  • 2016/04 - 2019/11 日本結晶成長学会 会長
  • 2010/04 - 2016/08 学術振興会145委員会 副委員長
  • 2010/08 - 2012/08 IOCG Secretary
  • 2010/04 - 日本結晶成長学会 副会長
受賞 (8件):
  • 2023/12 - 日本結晶成長学会 業績賞および赤﨑勇賞 結晶成長機構の大規模数値解析と半導体結晶の高品質化
  • 2019/06 - 文部科学省 文部科学大臣表彰科学技術賞(研究)
  • 2017/07 - ルーマニア物質科学結晶成長会議 ルーマニア物質科学結晶成長会議賞
  • 2014/11 - 日本結晶成長学会 貢献賞
  • 2006/06 - 日本物理学会誌 注目論文賞
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所属学会 (5件):
日本マイクログラビティ応用学会 ,  Electrochemical Society ,  化学工学会 ,  応用物理学会 ,  日本結晶成長学会
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