研究者

J-GLOBAL ID：200901021389538286 更新日: 2020年05月01日

水原譲

ミズハラユズル | Mizuhara Yuzuru

所属機関・部署：
職名：日本学術振興会特別研究員

研究分野 (3件)：薄膜、表面界面物性 , 結晶工学 , 応用物性

競争的資金等の研究課題 (2件)：

2002 - 低速イオンを用いた高分解能深さ分析に関する研究
2002 - Study on High-resolution Depth Profiling Using Low-energy Ion

MISC (6件)：

Y Mizuhara, J Kato, T Nagatomi, Y Takai, M Inoue. Analysis of dopant concentration in semiconductor using secondary electron method. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS. 2003. 42. 6B. L709-L711
Y Mizuhara, J Kato, T Nagatomi, Y Takai, M Inoue. Analysis of dopant concentration in semiconductor using secondary electron method. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS. 2003. 42. 6B. L709-L711
Y Mizuhara, J Kato, T Nagatomi, Y Takai, T Aoyama, A Yoshimoto, M Inoue, R Shimizu. Novel floating-type low-energy ion gun for high-resolution depth profiling in ultrahigh vacuum. SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS. 2003. 35. 4. 382-386
Y Mizuhara, J Kato, T Nagatomi, Y Takai, T Aoyama, A Yoshimoto, M Inoue, R Shimizu. Novel floating-type low-energy ion gun for high-resolution depth profiling in ultrahigh vacuum. SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS. 2003. 35. 4. 382-386
Y Mizuhara, J Kato, T Nagatomi, Y Takai, M Inoue. Quantitative measurement of surface potential and amount of charging on insulator surface under electron beam irradiation. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2002. 92. 10. 6128-6133

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学歴 (4件)：

- 2003 大阪大学工学研究科物質・生命工学専攻
- 2003 大阪大学
- 1999 摂南大学工学部電気工学科
- 1999 摂南大学

学位 (1件)：

博士(工学) (大阪大学)

所属学会 (1件)：

応用物理学会

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