研究者
J-GLOBAL ID：200901021847743960
更新日: 2020年05月18日
任 寅鎬
イム インホ | HO IM IN
所属機関・部署：
旧所属 東北大学 金属材料研究所 電子材料物性学研究部門
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職名：
助教
研究キーワード (8件)：
結晶性
, 表面
, プラズマ
, RHEED
, MBE
, CrN
, GaN
, AlN
競争的資金等の研究課題 (2件)：
2005 - 2008 窒化物半導体の分子線エピタキシ
-
MISC (29件)：
Sang Hyun Lee, In-Ho Im, Hyun Jung Lee, Zahra Vashaei, Takashi Hanada, Meoung-Whan Cho, Takafumi Yao. Correlation between ZnO nanowire growth and the surface of AlN substrate. CRYSTAL GROWTH & DESIGN. 2006. 6. 12. 2640-2642
W. H. Lee, I. H. Im, T. Minegishi, T. Hanada, M. W. Cho, T. Yao, D. C. Oh, C. S. Han, K. W. Koo, J. J. Kim, et al. Structural properties of CrN buffers for GaN growth. JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY. 2006. 49. 3. 928-933
I. H. Im, T. Minegishi, T. Hanada, S. W. Lee, D. C. Oh, J. H. Chang, M. W. Cho, T. Yao. Roles of kinetics and energetics in the growth of AlN by plasma-assisted molecular beam epitaxy. JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY. 2006. 49. 3. 908-912
W. H. Lee, I. H. Im, T. Minegishi, T. Hanada, M. W. Cho, T. Yao, D. C. Oh, C. S. Han, K. W. Koo, J. J. Kim, et al. Structural properties of CrN buffers for GaN growth. JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY. 2006. 49. 3. 928-933
I. H. Im, T. Minegishi, T. Hanada, S. W. Lee, D. C. Oh, J. H. Chang, M. W. Cho, T. Yao. Roles of kinetics and energetics in the growth of AlN by plasma-assisted molecular beam epitaxy. JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY. 2006. 49. 3. 908-912
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