岩井信

イワイマコト | Iwai Makoto

所属機関・部署：
職名：大学院学生(博士課程)

研究分野 (1件)：電子デバイス、電子機器

研究キーワード (2件)：電子デバイス・機器工学 , Electron Devices and Apparatus Engineering

競争的資金等の研究課題 (2件)：

MISC (10件)：

Multi-Pillar Surrounding Gate 型 MOSキャパシタの試作プロセス. 電子情報通信学会2002年総合大会講演論文集. 2002
高集積化を実現するFloating Channel type SGT(FC-SGT)Flashメモリセルのビットライン形成法. 電子情報通信学会2001年総合大会講演論文集. 2001. エレクトロニクス2. 87
0.4um MOS プロセス技術を用いた Multi-Pillar Surrounding Gate 型 MOS キャパシタ. 電子情報通信学会2001エレクトロニクスソサイエティ大会講演論文集. 2001. エレクトロニクス2
Multi-Pillar Surrounding Gate Transistor (M-SGT) type MOS Capacitor Using 0.4um MOS Technology. 2001 Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices. 2001. 257
A new Bit Line formation method for High-Density Floating Channel type SGT(FC-SGT)Flash Memory. Proceedings of the 2001 IEICE general conference. 2001. エレクトロニクス2. 87

学歴 (4件)：

学位 (1件)：

所属学会 (1件)：

電子情報通信学会

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岩井 信