研究者
J-GLOBAL ID:200901023689841617
更新日: 2020年08月26日
重冨 茂
シゲトミ シゲル | Shigetomi Shigeru
所属機関・部署:
久留米大学 医学部 医学科 物理学
久留米大学 医学部 医学科 物理学 について
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研究分野 (1件):
電気電子材料工学
研究キーワード (1件):
Semiconductor materical physics
競争的資金等の研究課題 (5件):
半導体の電気的・光学的性質および太陽電池の研究
層状化合物半導体を用いたオプトエレクトロニクス素子の研究
層状化合物半導体の電気的・光学的性質の研究
Research on Solar Cell of Layer Semiconductor
Study on Optical and Electrical Properties of Layer Semiconductors Doped with Impurities
MISC (52件):
S Shigetomi, T Ikari. Impurity levels in layered semiconductor n-InSe doped with Ge. PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH. 2003. 236. 1. 135-142
S Shigetomi, T Ikari. Electrical and optical properties of n- and p-InSe doped with Sn and As. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2003. 93. 4. 2301-2303
S Shigetomi, T Ikari. Optical and electrical properties of layer semiconductor n-InSe doped with Sn. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS. 2002. 41. 9. 5565-5566
S Shigetomi, T Ikari. Optical and electrical properties of layer semiconductor n-InSe doped with Sn. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS. 2002. 41. 9. 5565-5566
Effect of Zn Atom Diffusion in the Active Layer of InGaAIP Visible-LED Investigated by the Piezoelectric Photothermal Spectroscopy. 2002
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Works (1件):
層状半導体を用いた太陽電池の研究(宮崎大学工学部電子工学科碇哲雄教授)
学歴 (3件):
- 1984 東海大学
- 1972 東海大学
東海大学工学部電子工学科
学位 (2件):
工学修士 (東海大学)
工学博士 (東海大学)
所属学会 (2件):
日本物理学会
, 応用物理学会
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