藤田実樹

フジタミキ | Fujita Miki

所属機関・部署：
職名：准教授

研究分野 (3件)：電気電子材料工学 , 結晶工学 , 応用物性

研究キーワード (2件)：結晶成長 , Crystal Growth

競争的資金等の研究課題 (5件)：

論文 (13件)：

Takashi Tsukasaki, Hisashi Sumikura, Takuma Fujimoto, Miki Fujita, Toshiki Makimoto. Recombination mechanism of heavily Be-doped GaAsN by time-resolved photoluminescence. Journal of Vacuum Science & Technology A. 2023. 41. 5
Takashi Tsukasaki, Naoki Mochida, Miki Fujita, Toshiki Makimoto. Electrical properties of heavily Si-doped GaAsN after annealing. Physica B: Condensed Matter. 2022. 625
Takashi Tsukasaki, Ren Hiyoshi, Miki Fujita, Toshiki Makimoto. Correction: Photoluminescence Mechanism in Heavily Si-Doped GaAsN (Crystal Research and Technology, (2021), 56, 3, (2000143), 10.1002/crat.202000143). Crystal Research and Technology. 2021. 56. 11
Takashi Tsukasaki, Ren Hiyoshi, Miki Fujita, Toshiki Makimoto. Photoluminescence Mechanism in Heavily Si-Doped GaAsN. Crystal Research and Technology. 2021. 56. 3. 2000143-2000143
T. Tsukasaki, R. Hiyoshi, M. Fujita, T. Makimoto. Si doping mechanism in Si doped GaAsN. Journal of Crystal Growth. 2019. 514. 45-48

MISC (7件)：

講演・口頭発表等 (23件)：

AlGaAs/GaAs超格子太陽電池のPL法による評価
(第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023)
RF-MBE 法で成長した AlGaAsN のフォトルミネッセンス発光
(第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023)
粉末ターゲットを用いたスパッタリング法によるGa2O3薄膜の成長
(第70回応用物理学会春季学術講演会 2023)
粉末ターゲットを用いたスパッタリング法による酸化ガリウムの電気伝導度制御
(The 高専 @SEMICON Japan 2022 2022)
X線逆格子マッピングによる不純物ドープGaAsNの評価
(第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022)

学歴 (2件)：

学位 (1件)：

所属学会 (2件)：

応用物理学会 , Japan Society of Applied Physics

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藤田 実樹