研究者

J-GLOBAL ID：200901024736756972 更新日: 2008年01月17日

BHUIYAN ghani Ashraful

ブイヤンガニアシャフル | Bhuiyan ghani Ashraful

所属機関・部署：
職名：大学院学生(博士課程)

研究分野 (3件)：電気電子材料工学 , 結晶工学 , 応用物性

競争的資金等の研究課題 (2件)：

MOCVD法によるInNのエピタキシャル成長
Epitaxial Growth of InN by MOCVD

MISC (5件)：

Two-step Growth Epitaxial InN on GaP(III)B substrate using MOCVD. Extended Abstracts, Annual Meeting 2000 Hokuriku Chapters of Electrical Societies. 2000
High temperature Growth of InN on Gap(III)B Substrate. Extended Abstracts, The 61th Autumn Meeting Japan Society of Applied Physics. 2000
Significance of the suppression of substrate surface Nitridation for Epitaxial Growth of Wurtzite InN on Gap(III)and InP(III)Substrates. Proceedings of the International Workshop on Nitride semiconductors(2000), IPAP Conference series. 2000
Nitridation effects of Gap(III)B substrate on MOCVD growth of InN. Journal of Crystal Growth, Elsevier Science. 2000
MOCVD Growth of InN on GaP(III)B substrate. Extended Abstracts, The 60th Autumn Meeting Japan Society of Applied Physics. 1999

学位 (1件)：

修士 (福井大学)

所属学会 (1件)：

応用物理学会

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