研究者
J-GLOBAL ID:200901025775000547   更新日: 2024年03月06日

倉井 聡

クライ サトシ | Kurai Satoshi
所属機関・部署:
職名: 大学院担当助教
その他の所属(所属・部署名・職名) (1件):
研究分野 (2件): 結晶工学 ,  電気電子材料工学
研究キーワード (1件): 光電子デバイス
競争的資金等の研究課題 (6件):
  • 2022 - 2026 顕微分光法によるAlGaN混晶半導体の局所発光・欠陥評価と効率低下機構の解明
  • 2019 - 2022 顕微分光法によるIII族窒化物量子井戸構造の転位近傍高エネルギー発光の起源と機能
  • 2016 - 2021 結晶特異構造における励起子多体効果の光物性評価と光機能性探索
  • 2016 - 2019 顕微分光法によるGaInN混晶半導体のポテンシャル障壁の定量解析と高効率化モデル
  • 2013 - 2016 空間分解分光学的見地からのIII族窒化物不均一混晶半導体の発光機構解明
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論文 (91件):
  • Minagi Miyamoto, Wataru Matumura, Ryo Okuno, Syunsuke Matsuda, Koki Hanasaku, Taketo Kowaki, Daisuke Inahara, Satoshi Kurai, Narihito Okada, Yoichi Yamada. Improvement of electrical properties by insertion of AlGaN interlayer for N-polar AlGaN/AlN structures on sapphire substrates. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. 62. SN1016-1-SN1016-5
  • Taketo Kowaki, Wataru Matsumura, Koki Hanasaku, Ryo Okuno, Daisuke Inahara, Shunsuke Matsuda, Satoshi Kurai, Yongzhao Yao, Yukari Ishikawa, Narihito Okada, et al. Si Doping Effects in AlGaN Channel Layer on Performance of N-polar AlGaN/AlN FETs. physica status solidi (a). 2023
  • Daisuke Inahara, Shunsuke Matsuda, Wataru Matsumura, Ryo Okuno, Koki Hanasaku, Taketo Kowaki, Minagi Miyamoto, Yongzhao Yao, Yukari Ishikawa, Atsushi Tanaka, et al. Investigation of Electrical Properties of N-Polar AlGaN/AlN Heterostructure Field Effect Transistors. physica status solidi (a). 2023
  • Satoshi Kurai, Megumi Fujii, Yuta Ohnishi, Ryota Oshimura, Kosuke Inai, Kunio Himeno, Narihito Okada, Kenjiro Uesugi, Hideto Miyake, Yoichi Yamada. Optical characterization of point defects on internal quantum efficiency in AlGaN quantum wells grown on face-to-face-annealed sputtered AlN templates. AIP Advances. 2023. 13. 4. 045319
  • Hideaki Murotani, Keigo Nakatsuru, Satoshi Kurai, Narihito OKADA, Yoshiki Yano, Shuichi Koseki, Piao Guanxi, Yoichi Yamada. Effects of GaN cap layer thickness on photoexcited carrier density in green luminescent InGaN multiple quantum wells. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. 62. 031001
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MISC (4件):
  • 田口 常正, 倉井 聡, 神野 雅文. 第1回白色LEDと固体照明国際会議報告. 照明学会誌 = JOURNAL OF THE ILLUMINATING ENGINEERING INSTITUTE OF JAPAN. 2008. 92. 3. 148-154
  • [Author not found], JINNO Masafumi, KURAI Satoshi. EDITORIAL : Special issue on White LEDs-07 :. Journal of light and visual environment. 2008. 32. 2. 56-57
  • 岸本 祐子, 河野 裕, 作田 寛明, 岩田 史郎, 倉井 聡, 田口 常正. 21aYC-2 InAlGaN 四元混晶薄膜の結晶性と発光特性. 日本物理学会講演概要集. 2003. 58. 2. 799-799
  • 甲斐荘 敬司, 井上 孝行, 横畑 彰人, 倉井 聡, 山田 陽一, 田口 常正. 高圧溶液成長法によるバルクGaN単結晶の成長. 日本結晶成長学会誌. 2002. 29. 5. 439-444
書籍 (2件):
  • 白色LED照明技術のすべて
    工業調査会 2009 ISBN:9784769312840
  • 白色LED照明システム技術の応用と将来展望
    シーエムシー出版 2003 ISBN:9784781300085
講演・口頭発表等 (443件):
  • 220 nm 発光帯AlGaN 量子井戸構造における偏光特性の温度依存性
    (第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
  • N極性面GaN/AlN高電子移動度トランジスタのGaNチャネルの最適化
    (第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
  • 極性反転層を用いた高品質N極性面AlN上GaN/AlN HEMTの性能改善
    (第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
  • Effect of crystallinity of N-polar AlN on the performance of GaN/AlN High Electron Mobility Transistor
    (16th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2024))
  • Growth of N-polar AlN on sapphire substrate by metal-organic vapor phase epitaxy
    (International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2023 (ICMaSS2023) 2023)
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学歴 (3件):
  • - 1998 徳島大学 大学院工学研究科 博士後期課程 物質工学専攻
  • 1993 - 1995 徳島大学 大学院工学研究科 博士前期課程 電気電子工学専攻
  • - 1993 徳島大学 工学部 電気電子工学科
学位 (1件):
  • 博士(工学) (その他)
経歴 (3件):
  • 2016/04 - 現在 山口大学 大学院創成科学研究科(工学) 大学院担当助教
  • 2007/04 - 2016/03 山口大学 大学院理工学研究科(工学) 大学院担当助教
  • 1998/04 - 2007/03 山口大学 工学部 助手
委員歴 (10件):
  • 2008/10/24 - 2011/03/31 照明学会 LS委員会 幹事
  • 2008/09/12 - 2010/08/31 照明学会 白色LED国際会議委員会 幹事
  • 2008 - 2009 The Second International Conference on White LEDs and Solid State Lighing, Technical Program Committee
  • 2008 - 2009 第2回白色LEDと固体照明国際会議 プログラム委員
  • 2006/10/26 - 2008/05/31 照明学会 白色LED照明システム応用技術特別委員会 幹事
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受賞 (2件):
  • 2008/08 - 照明学会 平成20年度照明学会研究奨励賞
  • 2002/03 - プラズマ応用科学会 プラズマ応用科学会論文賞
所属学会 (1件):
応用物理学会
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