研究者
J-GLOBAL ID：200901025795007351   更新日: 2024年04月11日

寒川 義裕

カンガワ ヨシヒロ | Kangawa Yoshihiro
所属機関・部署：
九州大学 応用力学研究所

九州大学 応用力学研究所 について


職名： 教授 / 副所長
ホームページURL (1件)： https://sites.google.com/view/kangawalab/
研究分野 (3件)： 薄膜、表面界面物性 ,  結晶工学 ,  応用物性
研究キーワード (4件)： プロセス・インフォマティクス ,  結晶成長 ,  表面科学 ,  化合物半導体
競争的資金等の研究課題 (46件)：
  • 2023 - 2025 Atomic-level control of AlGaN hetero-interfaces for deep-UV LED (AtLv-AlGaN)
  • 2022 - 2024 窒化物半導体AlGaNの非極性面成長と深紫外LED応用
  • 2020 - 2022 省エネルギー次世代半導体デバイス開発のための量子論マルチシミュレーション
  • 2016 - 2021 深紫外領域半導体レーザの実現と超高濃度不純物・分極半導体の研究
  • 2016 - 2020 計算科学によるヘテロボンドの理論的材料設計
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論文 (179件)：
  • Takahiro Kawamura, Toru Akiyama, Yoshihiro Kangawa. First-principles calculations of α-Ga2O3 /Al2O3 superlattice band structures. Journal of Crystal Growth. 2024. 626. 127477-127477
  • Pawel Kempisty, Karol Kawka, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa. Polar GaN Surfaces under Gallium Rich Conditions: Revised Thermodynamic Insights from Ab Initio Calculations. Materials. 2023. 16. 17. 5982-5982
  • Takahiro Kawamura, Kouhei Basaki, Akito Korei, Toru Akiyama, Yoshihiro Kangawa. Bandgap Change in Short-Period InN/AlN Superlattices Induced by Lattice Strain. PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS. 2023
  • Ashfaq Ahmad, Pawel Strak, Pawel Kempisty, Konrad Sakowski, Jacek Piechota, Yoshihiro Kangawa, Izabella Grzegory, Michal Leszczynski, Zbigniew R Zytkiewicz, Grzegorz Muziol, et al. Polarization Doping in a GaN-InN System-Ab Initio Simulation. Materials. 2023. 16. 3. 1227
  • A. Kusaba, S. Nitta, K. Shiraishi, T. Kuboyama, Y. Kangawa. Beyond ab initio reaction simulator: an application to GaN metalorganic vapor phase epitaxy. Applied Physics Letters (in press). 2022
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MISC (116件)：
  • 寒川義裕. AIによる材料製造条件の探索『プロセス・インフォマティクス』技術の進展. 2023
  • 草場彰, 寒川義裕, 久保山哲二, 新田州吾, 白石賢二, 押山淳. GaN有機金属気相成長におけるデジタルツイン開発の現状(特集「エピタキシャル成長の量子論における新展開:シミュレーションからデジタルツインへ」). 日本結晶成長学会誌. 2023. 50. 1. 50-1-05
  • 寒川義裕, 草場彰. 窒化物半導体の化学気相成長における表面科学の進展(特集「結晶成長ダイナミクスの展望-平衡過程と非平衡過程の協奏-」). 表面と真空. 2023. 66. 4. 227-232
  • 河村貴宏, 秋山亨, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介, 森川良忠, 寒川義裕. OVPE成長条件下におけるGaN表面構造と点欠陥がGaNの光学特性へ与える影響. 2023
  • 寒川義裕. 結晶成長とプロセスインフォマティクス 〜理論解析から計算予測へ〜. 2022
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書籍 (9件)：
  • Thermodynamic approach to InN epitaxy
    Springer Verlag 2018
  • Atomic arrangement and In composition in InGaN quantum wells
    Springer Verlag 2018
  • Epitaxial Growth of III-Nitride Compounds: Computational Approach
    Springer 2018
  • Ab initio-Based Approach to Crystal Growth Chemical Potential Analysis
    Elsevier Inc. 2014
  • 11 - Ab initio-Based Approach to Crystal Growth: Chemical Potential Analysis
    Elsevier 2014
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講演・口頭発表等 (501件)：
  • Vacancies in III-Nitrides (II): Diffusion near Hetero Interfaces
    (10th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA 2024) 2024)
  • Vacancies in III-Nitrides (I): Formation under Reconstructed Surfaces
    (10th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA 2024) 2024)
  • First-Principles Calculations of Bandgap Control of κ-Ga2O3 by Uniaxial Strain
    (10th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA 2024) 2024)
  • Electronic structures of κ Ga2O3/Al2O3 superlattices
    (10th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA 2024) 2024)
  • 半導体化学気相成長のプロセスモデリング
    (日本金属学会九州支部 日本鉄鋼協会九州支部 2024年度春季講演会(湯川記念講演会) 2024)
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学歴 (2件)：
  • - 2000 九州大学 総合理工学研究科 材料開発工学専攻
  • - 1997 九州大学 総合理工学研究科 材料開発工学専攻
経歴 (3件)：
  • 2005/01 - 2017/05 九州大学 応用力学研究所 准教授
  • 2002/04 - 2004/12 東京農工大学 工学部応用分子化学科 助手
  • 2000/04 - 2002/03 学習院大学 計算機センター 助手
委員歴 (96件)：
  • 2022/04 - 2025/03 日本結晶成長学会 副会長
  • 2022/04 - 2024/03 日本結晶成長学会ナノエピ分科会 幹事
  • 2021/04 - 2023/03 応用物理学会先進パワー半導体分科会 幹事
  • 2021/04 - 2023/03 一般社団法人ワイドギャップ半導体学会 総務委員
  • 2023/01 - International Organization for Crystal Growth (IOCG) Executive
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受賞 (35件)：
  • 2021/03 - ISPlasma2021/IC-PLANTS2021 The Best Short Presentation Awards Surface coverage of impurities during GaN and AlN MOVPE
  • 2020/11 - 第49回結晶成長国内会議 学生ポスター賞 微傾斜m-GaN MOVPEにおける酸素混入機構:量子論に立脚したBCFモデル
  • 2020/07 - 第12回ナノ構造エピタキシャル成長講演会 発表奨励賞 微傾斜m(101 ̅0)面GaN-MOVPEにおける酸素混入のモデリング
  • 2020/01 - 電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理- (第25回研究会) 服部賞 GaN薄膜におけるらせん転位およびMg不純物と電子物性の相関:第一原理計算に基づく理論解析
  • 2019/10 - 第48回結晶成長国内会議 学生ポスター賞 窒化物半導体におけるステップバンチング発生機構の解明
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所属学会 (9件)：
(一社)ワイドギャップ半導体学会 ,  産学協力委員会「R032産業イノベーションのための結晶成長委員会」 ,  応用物理学会 先進パワー半導体分科会 ,  日本結晶成長学会 ナノ構造・エピ成長分科会 ,  日本結晶成長学会 ,  応用物理学会 ,  日本学術振興会 第162委員会「ワイドギャップ半導体光・電子デバイス」 ,  日本学術振興会第161委員会「結晶成長の科学と技術」 ,  応用物理学会 結晶工学分科会
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