研究者

J-GLOBAL ID：200901027031373321 更新日: 2020年08月28日

佐藤政孝

サトウマサタカ | Satou Masataka

MISC (102件)：

SATOH M, HITOMI T, SUZUKI T. Recrystallization process of phosphorus ion implanted 4H-SiC(1 1 2 -0). Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 2006. 242. 1-2. 627-629
M Satoh, T Hitomi, T Suzuki. Recrystallization process of phosphorus ion implanted 4H-SiC(112-0). NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS. 2006. 242. 1-2. 627-629
φ100mm用EBAS(電子衝撃アニール装置)の開発と基礎特性の評価. 第52回応用物理学関係連合講演会 31a-YK-1. 2005
電子衝撃アニール装置(EBAS)によるAl+高温注入4H-SiCアニール特性の評価. 第52回応用物理学関係連合講演会 31a-YK-2. 2005
高濃度イオン注入4H-SiC(11-20)における電気特性のドーズ依存性. 第52回応用物理学関係連合講演会 31a-YK-5. 2005

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書籍 (1件)：

半導体SiC技術と応用
日刊工業新聞社 2003

経歴 (7件)：

1995 - 2002 法政大学イオンビーム工学研究所助教授
2002 - - 法政大学イオンビーム工学研究所教授 (現在に至る)
1994 - 1996 法政大学工学部電気電子工学科非常勤講師(「電気回路演習」担当)
1996 - - 法政大学工学部電気電子工学科講師(「電気電子材料工学」担当)(現在に至る)
1992 - 1995 法政大学専任講師 (「物理学実験」担当)

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所属学会 (1件)：

応用物理学会会員

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