研究者
J-GLOBAL ID：200901029116852027   更新日: 2024年03月02日

野平 博司

ノヒラ ヒロシ | Nohira Hiroshi
所属機関・部署：
東京都市大学 東京都市大学 理工学部 電気電子通信工学科

東京都市大学 東京都市大学 理工学部 電気電子通信工学科 について


職名： 教授
その他の所属（所属・部署名・職名） (1件)：
  • 東京都市大学  大学院工学研究科 電気電子工学専攻 東京都市大学 大学院工学研究科 電気電子工学専攻   教授
研究分野 (4件)： 電気電子材料工学 ,  薄膜、表面界面物性 ,  ナノバイオサイエンス ,  ナノ材料科学
研究キーワード (4件)： 表面界面物性 ,  電子・電気材料工学 ,  Surface Physics ,  Electronic and Electric Materials Engineering.
競争的資金等の研究課題 (29件)：
  • 2019 - 2022 界面ダイポール変調の抵抗変化型メモリ応用とスイッチング機構の解明
  • 2016 - 2019 多層界面ダイポール変調不揮発メモリの酸化膜界面構造最適化とアナログ動作モデリング
  • 2015 - 2018 角度分解光電子分光法によるダイヤモンド表面の終端構造と電子帯構造の解明
  • 2014 - 2017 光電子分光法を用いた極薄SiO2/Si界面の欠陥とアモルファス構造の研究
  • 2009 - 2012 革新的ゲルマニウム光電子融合素子の実証とそのシミュレーション技術開発
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論文 (136件)：
  • Noriyuki Miyata, Kyoko Sumita, Akira Yasui, Ryousuke Sano, Reito Wada, Hiroshi Nohira. Electrically induced change in HfO2/1-monolayer TiO2/SiO2metal-oxide-semiconductor stacks: Capacitance-voltage and hard X-ray photoelectron spectroscopy studies. Applied Physics Express. 2021. 14. 7. 071005-071005
  • 野平博司, 笹子知弥, 室隆桂之. SiO2/SiCに及ぼすプラズマ窒化処理の影響の角度分解X線光電子分光法による解析. SPring-8/SACLA利用研究成果集(Web). 2020. 8. 2. 251-253
  • Takuji Takahashi, Daisuke Fujita, Hirokazu Fukidome, Ken Ichi Fukui, Hiroki Hibino, Masami Kageshima, Tadahiro Komeda, Ken Nakajima, Makoto Nakamura, Tomonobu Nakayama, et al. Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures/Scanning Probe Microscopy. Japanese Journal of Applied Physics. 2019. 58. SI
  • R. Sano, S. Konoshima, K. Sawano, H. Nohira. Effect of strain on the binding energy of Ge 2p and 3d core level. Semiconductor Science and Technology. 2019. 34. 1
  • Eriko Shigesawa, Ryotaro Matsuoka, Masashi Fukumoto, Ryosuke Sano, Kohei M. Itoh, Hiroshi Nohira, Kentarou Sawano. Study on Al2O3/Ge interface formed by ALD directly on epitaxial Ge. Semiconductor Science and Technology. 2018. 33. 12
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MISC (203件)：
  • 野平博司, 桐原芳治, 辻口良太, 小山涼, 家城大輔, 中田和吉, 石川亮佑, 石川亮佑. ペロブスカイト/Siタンデム太陽電池応用に向けたALD-TiO2層のXPS評価. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2022. 69th
  • 石川亮佑, 石川亮佑, 家城大輔, 桐原芳治, 辻口良太, 小山涼, 中田和吉, 野平博司. ペロブスカイト/Siタンデム太陽電池応用に向けたALD-TiO2層の評価. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2022. 69th
  • 桐原芳治, 和田励虎, 辻口良太, 保井晃, 宮田典幸, 野平博司. HAXPESによる界面ダイポール変調機構の解明. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 68th. 2279-2279
  • 辻口良太, 桐原芳治, 角嶋邦之, 保井晃, 野平博司. 分極反転させたAlScN膜中の元素の化学結合状態のHAXPES評価. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 82nd
  • 桐原芳治, 辻口良太, 保井晃, 宮田典幸, 野平博司. HAXPESによる界面ダイポール変調発生の確認. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 82nd
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書籍 (2件)：
  • Fundamental Aspects of Silicon Oxidation
    Springer-Verlag Berlin Germany (総ページ数260) 2001
  • Fundamental Aspects of Silicon Oxidation
    Springer-Verlag Berlin Germany 2001
講演・口頭発表等 (309件)：
  • ラジカル窒化処理したSiO2/4H-SiCの窒素分布のXPSによる評価
    (応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会 「ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-」(第19回研究会) (旧 「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会) 2014)
  • HXPESによるFe3 Si/Geヘテロ構造の評価
    (応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会 「ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-」(第19回研究会) (旧 「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会) 2014)
  • 高空間分解能HXPESによるSiGe価電子帯への一軸歪みの影響の検出
    (応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会 「ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-」(第19回研究会) (旧 「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会) 2014)
  • ALD法を用いたLa2O3/In0.53Ga0.47As構造に及ぼす(NH4)2S表面処理の効果
    (応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会 「ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-」(第19回研究会) (旧 「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会) 2014)
  • AR-XPS による4H-SiC の初期酸化過程の解明
    (第61 回応用物理学会春季学術講演会 2014)
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学歴 (1件)：
  • - 1991 東京工業大学 総合理工学研究科 電子システム
学位 (1件)：
  • 工学博士 (東京工業大学)
委員歴 (38件)：
  • 2014 - 2014 第20回 ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- プログラム委員
  • 2014 - 2014 2014年国際固体素子・材料コンファレンス 委員
  • 2014 - 2014 2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2014) Member of Program Committee
  • 2014 - 2014 20th Workshop on Gate Stacks - Physics in Materials, Fablication Processes and Characterization Member of Program Committee
  • 2013 - 2013 2013 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES SCIENCE AND TECHNOLOGY Member of Program Committee
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所属学会 (33件)：
第17回 ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- ,  2013 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES SCIENCE AND TECHNOLOGY ,  Materials Research Society ,  2013年国際固体素子・材料コンファレンス ,  応用物理学会 薄膜・表面物理分科会 ,  第16回 ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- ,  2011年国際固体素子・材料コンファレンス ,  応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 ,  日本表面科学会 ,  第20回 ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- ,  The Electrochemical Society ,  2014年国際固体素子・材料コンファレンス ,  (社)応用物理学会 ,  2011 International Workshop on IWDTF-11 DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES SCIENCE AND TECHNOLOGY ,  2012年国際固体素子・材料コンファレンス ,  応用物理学会 ,  第19回 ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- ,  第18回 ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- ,  19th Workshop on Gate Stacks - Physics in Materials ,  18th Workshop on Gate Stacks - Physics in Materials ,  16th Workshop on Gate Stacks - Physics in Materials ,  17th Workshop on Gate Stacks - Physics in Materials ,  2011 International Workshop on IWDTF-11 DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES SCIENCE AND TECHNOLOGY ,  2013 International Workshop on IWDTF-2013 DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES SCIENCE AND TECHNOLOGY ,  2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2011) ,  Thin Film and Surface Physics Division ,  2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2014) ,  The Surface Science Society of Japan ,  2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012) ,  2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2013) ,  The Japan Society of Applied Physics ,  Fablication Processes and Characterization ,  20th Workshop on Gate Stacks - Physics in Materials
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