研究者
J-GLOBAL ID：200901029312612115
更新日: 2024年01月17日
塚﨑 敦
ツカザキ アツシ | Tsukazaki Atsushi
所属機関・部署：
東北大学 金属材料研究所 超構造薄膜化学研究部門
東北大学 金属材料研究所 超構造薄膜化学研究部門 について
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職名：
研究支援者
研究分野 (2件)：
結晶工学
, 応用物性
研究キーワード (4件)：
薄膜
, 結晶成長
, Thinfilm
, Crystal Growth
競争的資金等の研究課題 (1件)：
コンビナトリアル手法を用いた酸化亜鉛の価電子制御
MISC (5件)：
A. Tsukazaki, A. Ohtomo, S. Yoshida, M. Kawasaki, C. H. Chia, T. Makino, Y. Segawa, T. Koida, S. F. Chichibu, H. Koinuma. Layer-by-layer growth of high-optical-quality ZnO film on atomically smooth and lattice relaxed ZnO buffer layer. Applied Physics Letters. 2003. 83. 14. 2784-2786
A Tsukazaki, A Ohtomo, S Yoshida, M Kawasaki, CH Chia, T Makino, Y Segawa, T Koida, SF Chichibu, H Koinuma. Layer-by-layer growth of high-optical-quality ZnO film on atomically smooth and lattice relaxed ZnO buffer layer. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2003. 83. 14. 2784-2786
Layer-by-layer growth of high-optical-quality ZnO film on atomically smooth and lattice relaxed ZnO buffer layer. Applied Physics Letters. 2003. 83, 2784
A Tsukazaki, H Saito, K Tamura, M Ohtani, H Koinuma, M Sumiya, S Fuke, T Fukumura, M Kawasaki. Systematic examination of carrier polarity in composition spread ZnO thin films codoped with Ga and N. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2002. 81. 2. 235-237
A Tsukazaki, H Saito, K Tamura, M Ohtani, H Koinuma, M Sumiya, S Fuke, T Fukumura, M Kawasaki. Systematic examination of carrier polarity in composition spread ZnO thin films codoped with Ga and N. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2002. 81. 2. 235-237
学位 (1件)：
工学修士 (東京工業大学)
受賞 (1件)：
2002 - 応用物理学会講演奨励賞
所属学会 (2件)：
応用物理学会
, The Japan Society of Applied Physics
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