研究者
J-GLOBAL ID：200901030450399960
更新日: 2020年04月28日
山下 良之
ヤマシタ ヨシユキ | Yamashita Yoshiyuki
所属機関・部署：
旧所属 東京大学 物性研究所 ナノスケール物性研究部門
旧所属 東京大学 物性研究所 ナノスケール物性研究部門 について
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職名：
助手
競争的資金等の研究課題 (2件)：
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MISC (4件)：
Y Yamashita, S Machida, K Mukai, J Yoshinobu. Residual gas effects on high-resolution Si 2p spectra of Si(100)c(4 x 2). SURFACE SCIENCE. 2004. 566. 467-470
M Nagao, H Umeyama, K Mukai, Y Yamashita, J Yoshinobu, K Akagi, S Tsuneyuki. Precursor mediated cycloaddition reaction of ethylene to the Si(100)c(4 x 2) surface. JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY. 2004. 126. 32. 9922-9923
Y Yamashita, S Machida, M Nagao, S Yamamoto, K Mukai, J Yoshinobu. Vibrational structure in C 1s photoelectron spectra of ethylene on the Si(100)(2 x 1) surface. CHEMICAL PHYSICS LETTERS. 2003. 374. 5-6. 476-481
Microscopic Adsorption Process of CO on Si(100)c(4x2) by means of Low Temperature Scanning Tunneling Microscopy. Phys. Rev. B. 2003. 68
学歴 (1件)：
- 1998 大阪大学 基礎工学研究科 化学
学位 (1件)：
Obsevation of interface states in the Si band gap for MOS devices by means of XPS measurements under biases
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