研究者

J-GLOBAL ID：200901030764718911 更新日: 2024年04月24日

中井日佐司

ナカイヒサシ | NAKAI HISASHI

所属機関・部署：
職名：准教授
ホームページURL (1件)： http://www.fedu.uec.ac.jp/~nakai

研究分野 (2件)：薄膜、表面界面物性 , ナノ構造物理

研究キーワード (1件)：金属薄膜初期成長過程の漸近的性質

競争的資金等の研究課題 (2件)：

2005 - 2007 留学生の理工系基礎科目学習支援用オンライン教材開発のための調査研究
2000 - 2001 チタン窒化物基ナノコンポジット磁性薄膜の作製と評価

論文 (27件)：

中井日佐司. 点状島初期成長におけるサイズ分布のWidom型スケーリング解析. 電気通信大学紀要. 2022. 34. 1. 23-31
中井日佐司. 4次元点状島初期成長における捕獲領域分布のスケーリング解. 電気通信大学紀要. 2020. 32. 1. 47-53
中井日佐司. 薄膜点状島初期成長における平均捕獲数の空間次元依存性. 電気通信大学紀要. 2019. 31. 1. 97-103
中井日佐司. 極小モデルに基づいた薄膜点状島初期成長のスケーリング理論. 電気通信大学紀要. 2018. 30. 1. 300107
中井日佐司. 一次元薄膜初期成長における局所累積サイズの漸近解析. 電気通信大学紀要. 2017. 29. 1. 290105-290105

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学歴 (4件)：

1988 - 1991 横浜国立大学大学院工学研究科生産工学専攻
1986 - 1988 横浜国立大学大学院工学研究科生産工学専攻
1982 - 1986 東海大学工学部応用物理学科
1979 - 1982 東京都立小平西高等学校

学位 (2件)：

工学修士 (横浜国立大学)
博士(工学) (横浜国立大学)

経歴 (4件)：

2021/04/01 - 国際教育センター准教授
2017/02/01 - 2021/03/31 国際教育センター講師
2010/04/01 - 2017/01/31 国際交流センター講師
1996/08 - 2010/03/31 電気通信大学電気通信学部留学生専門教育担当講師

所属学会 (1件)：

応用物理学会

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