研究者
J-GLOBAL ID：200901030944442469
更新日: 2020年06月07日
鈴木 彰
スズキ アキラ | Suzuki Akira
研究分野 (1件)：
電気電子材料工学
研究キーワード (1件)：
半導体材料工学、AlN、薄膜成長、希土類添加、光物性、紫外発光デバイス、InN、InGaN、エピタキシャル成長、MBE成長、化合物半導体太陽電池、ナイトライド半導体、高周波デバイス、無線情報通信
競争的資金等の研究課題 (5件)：
2006 - 2008 新規窒化物半導体材料を用いた新規光・磁気・電子デバイス創出のための基盤研究
2006 - 2006 新規紫外発光材料ガドリニウム添加窒化アルミニウムの高品質化に関する研究
2004 - 2004 InGaN半導体薄膜を用いた環境配慮型新規高効率太陽電池開発のための基礎研究
2004 - 2004 窒化物半導体高周波デバイスの電気的特性に及ぼす結晶欠陥の影響
2003 - 2003 窒化物半導体高周波デバイスの電気的特性に及ぼす結晶欠陥の影響
論文 (19件)：
Akira Suzuki, Yu Bungi, Tsutomu Araki, Yasushi Nanishi, Yasuaki Mori, Hiroaki Yamamoto, Hiroshi Harima. In-situ cyclic pulse annealing of InN on AlN/Si during IR-lamp-heated MBE growth. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2009. 311. 10. 2776-2779
S. Emura, M. Takahashi, H. Tambo, A. Suzuki, T, Nakamura, Y.-K. Zhou, S. Hasegawa, H. Asahi. Ferromagnetism and luminescence of diluted magnetic semiconductors GaGdN and AlGdN. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2009. 1111. pp. 49-60
Akihiro Hinoki, Junjiroh Kikawa, Tomoyuki Yamada, Tadayoshi Tsuchiya, Shinichi Kamiya, Masahito Kurouchi, Kenichi Kosaka, Tsutomu Araki, Akira Suzuki, Yasushi Nanishi. Effects of traps formed by threading dislocations on off-state breakdown characteristics in GaN buffer layer in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors. APPLIED PHYSICS EXPRESS. 2008. 1. 1. pp. 011103-011105
H. Naoi, D. Muto, T. Hioka, Y. Hayakawa, A. Suzuki, T. Araki, Y. Nanishi. Thermal and chemical stabilities of In- and N-polar InN surfaces. PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS. 2007. 244. 6. 1834-1838
Akio Wakejima, Kazuki Ota, Tatsuo Nakayama, Yuji Ando, Yasuhiro Okamoto, Hironobu Miyamoto, Shinichi Kamiya, Akira Suzuki. Observation of cross-sectional electric field for GaN-based field effect transistor with field-modulating plate. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2007. 90. 21. pp. 213504-1 - 213504-3,
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特許 (1件)：
窒化物系化合物半導体製造装置
学歴 (2件)：
- 1977 京都大学大学院 工学研究科 電子工学
- 1971 京都大学 工学部 電子工学科
学位 (1件)：
工学博士 (京都大学)
経歴 (19件)：
2008/09/01 - 2013/03/31 京都高度技術研究所 京都環境ナノクラスター本部・科学技術コーディネータ
2012/04/01 - 立命館大学総合科学技術研究機構・客員教授
2009/04/01 - 2012/03/31 福井大学大学院工学研究科・非常勤講師
2007/10/01 - 2012/03/31 立命館大学総合理工学研究機構・客員教授
2010/04/01 - サムコ株式会社基盤技術研究所・非常勤技術顧問
2007/04/01 - 2007/09/30 立命館大学COE推進機構・教授
2002/09/01 - 2007/03/31 新機能素子研究開発協会・主幹研究員
2002/07/01 - 2007/03/31 立命館大学総合理工学研究機構・教授
2002/04/01 - 2003/03/31 京都工芸繊維大学 地域共同研究センター・客員教授
1998/04/01 - 2002/06/30 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科・客員教授
1997/01/01 - 2002/06/30 シャープ株式会社技術本部・技師長
1996/10/01 - 1997/09/30 大阪市立大学大学院工学研究科・非常勤講師
1996/04/01 - 1996/12/31 シャープ株式会社技術本部・主席研究員
1994/04/01 - 1996/03/31 シャープ株式会社技術本部・部長
1988/06/01 - 1994/03/31 シャープ株式会社技術本部・主任研究員
1986/04/01 - 1988/05/31 シャープ株式会社技術本部・課長
1982/04/16 - 1986/03/31 シャープ株式会社技術本部・研究員
1977/04/01 - 1982/04/15 京都大学工学部・助手
立命館大学 総合科学技術研究機構 教授
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委員歴 (25件)：
2013/01 - 応用物理学会 先進パワー半導体研究会 顧問幹事
1992/04 - 2012/12 応用物理学会 シリコンカーバイド及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会 幹事、代表幹事、顧問幹事
2011/04 - 応用物理学会 ICSCRM2013国際会議組織委員会 協賛委員長
2006/04 - 2011/03 応用物理学会 評議員
2001/05 - 2011/03 IEEE EDS関西チャプター 役員
2010/11 - NEDO 技術委員
2008/04 - 日本学術振興会 科研費委員会 専門委員
2005/04 - 2008/03 応用物理学会 ICSCRM2007国際会議組織委員会 組織委員長、実行委員長
2005/04 - 2007/03 応用物理学会 論文賞委員
2003/10 - 2006/03 ファインセラミックス技術研究組合 プロジェクト推進会議 委員
2001/04 - 2002/06 応用物理学会 関西支部 評議員
1999/07 - 2002/06 関西サイエンス・フォーラム 第4専門部会 委員
1996/12 - 2002/06 日本学術振興会 第125委員会 委員
2000/04 - 2002/03 応用物理学会 JJAP編集委員
1999/05 - 2002/03 NEDO 地域コンソーシアムプロジェクト推進委員会 委員
2001/12 - 産業技術総合研究所 研究センター レビューボード委員、評価委員
1999/09 - 2001/08 情報処理学会 情報規格調査会 委員
2000/09 - 2001/03 新機能素子研究開発協会 調査委員会 委員
1999/04 - 2001/03 応用物理学会 学会誌編集委員
2001/03 - 文部科学省 科学技術政策研究所 科学技術動向研究センター 専門調査員
1992/10 - 2000/03 大阪科学技術センター 光量子推進会議 幹事 科学技術フォーラム 委員
1995/04 - 1999/03 電子情報通信学会 関西支部 評議員
1988/04 - 1994/03 電気学会 調査専門委員会 委員
1988/04 - 1994/03 応用物理学会 応用電子物性分科会 幹事
1985/04 - 1987/03 日本電子工業振興協会 技術専門委員会 委員
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所属学会 (3件)：
日本結晶成長学会
, IEEE
, 応用物理学会
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