研究者
J-GLOBAL ID:200901032150000561   更新日: 2024年02月01日

太田 実雄

オオタ ジツオ | Ohta Jitsuo
所属機関・部署:
職名: 助教
研究分野 (5件): 無機材料、物性 ,  電子デバイス、電子機器 ,  結晶工学 ,  応用物性 ,  電気電子材料工学
研究キーワード (10件): InGaN ,  低温 ,  Sic ,  PLD ,  III族窒化物 ,  パルス励起堆積法 ,  低温成長 ,  光電子機能デバイス ,  2次元原子薄膜 ,  窒化物半導体
競争的資金等の研究課題 (1件):
  • 2014 - 2015 低温成長技術によるシリコン(111)上への窒化物系発光素子集積と光MEMS応用
特許 (4件):
講演・口頭発表等 (256件):
  • 導電性バッファー層を用いたSi基板上へのGaN薄膜成長
    (結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM) 2015)
  • 非晶質材料上に成長したGaN薄膜の特性評価
    (結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM) 2015)
  • パルス励起堆積法による新奇ヘテロエピ構造の創製
    (応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2015)
  • GaN薄膜成長におけるHfNバッファ層の検討
    (応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2015)
  • ガラス基板上窒化物半導体薄膜トランジスタの特性
    (応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2015)
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学歴 (3件):
  • 2001 - 2004 東京大学大学院 工学系研究科 応用化学専攻 博士課程
  • 1999 - 2001 東京大学大学院 工学系研究科 応用化学専攻 修士課程
  • 1995 - 1999 東京大学 工学部 応用化学科
学位 (1件):
  • 博士(工学) (東京大学)
経歴 (4件):
  • 2015/10 - 現在 JST さきがけ研究者(兼任)
  • 2005/09 - 現在 東京大学 生産技術研究所 助教
  • 2004/10 - 2005/08 東京大学 生産技術研究所 研究機関研究員
  • 2004/04 - 2004/10 神奈川科学技術アカデミー 研究員
所属学会 (3件):
日本放射光学会 ,  日本結晶成長学会 ,  応用物理学会
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