研究者

J-GLOBAL ID：200901033449814510 更新日: 2022年07月06日

永宗靖

ナガムネヤスシ | Nagamune Yasushi

所属機関・部署：
ホームページURL (1件)： http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=Y64611988

研究分野 (2件)：金属材料物性 , 半導体、光物性、原子物理

研究キーワード (5件)：半導体量子構造励起子単電子 , Single Electron , Exciton , Quantum Structure , Semiconductor

競争的資金等の研究課題 (2件)：

半導体量子構造の電子物性
Electronic Properties in Semiconductor Quantum Structures

MISC (14件)：

Electron transport and optical properties of InGaAs QWs with quasi-periodic (Λ~30nm) interface corrugation grown on vicinal (111)G GaAs. PHYSICA E LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS AND NANOSTRUCTURES. 2002. 13. 333-336
Time-resolved imaging by using m-PL measurement and sum frequencymixing. PHYSICA ELOW-DIMENSIONAL SYSTEMS AND NANOSTRUCTURES. 2002. 13. 366-369
AlGaAs/GaAs V溝量子細線の磁場中顕微PL測定. 量子効果等の物理現象第5回定例シンポジウム予稿集. 2001. 24-
Y Nagamune, T Noda, H Kim, H Sakaki. Cyclotron resonance of InAs self-organized quantum dots. PROCEEDINGS OF THE 25TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, PTS I AND II. 2001. 87. 1153-1154
NODA T, KOSHIBA S, NAGAMUNE Y, SAKAKI H. Structural and Optical Propertied of MBE grown GaNAs/GaAs quantum well structures. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2001. 227/228. 496-500

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学歴 (4件)：

東京理科大学
東京大学
Science University of Tokyo
University of Tokyo

学位 (1件)：

工学博士

経歴 (2件)：

1995 - :電子技術総合研究所主任研究官
1989 - :東京大学先端科学技術研究センター助手

受賞 (1件)：

SSDM Young Researcher Award (1992)

所属学会 (1件)：

応用物理学会

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