研究者
J-GLOBAL ID：200901036470194904   更新日: 2024年01月30日

櫻庭 政夫

サクラバ マサオ | Sakuraba Masao
所属機関・部署：
東北大学 電気通信研究所 情報デバイス研究部門 ナノ集積デバイス・システム研究室

東北大学 電気通信研究所 情報デバイス研究部門 ナノ集積デバイス・システム研究室 について


職名： 准教授
ホームページURL (1件)： http://www5a.biglobe.ne.jp/~tenrou/
研究分野 (4件)： 電気電子材料工学 ,  薄膜、表面界面物性 ,  結晶工学 ,  応用物性
研究キーワード (6件)： 高集積化プロセス ,  プラズマ化学気相成長 ,  エピタキシャル成長 ,  IV族半導体 ,  量子効果デバイス ,  歪ヘテロ構造
競争的資金等の研究課題 (28件)：
  • 2016 - 現在 ナノ薄膜の結晶構造変換プロセスに関する研究
  • 2001 - 現在 高度歪IV族半導体エピタキシャル成長のための低損傷基板非加熱プラズマCVDプロセスに関する研究
  • 1995 - 現在 先端材料・ナノ構造の評価分析方法に関する研究
  • 1994 - 現在 IV族半導体量子へテロナノデバイスの製作と高性能化に関する研究
  • 1989 - 現在 IV族半導体高度歪量子へテロ構造の高集積化プロセスに関する研究
全件表示
論文 (216件)：
  • Yifan Dai, Hideaki Yamamoto, Masao Sakuraba, Shigeo Sato. Computational Efficiency of a Modular Reservoir Network for Image Recognition. Frontiers in Computational Neuroscience. 2021. 15
  • Yoshihiro Osakabe, Shigeo Sato, Hisanao Akima, Mitsunaga Kinjo, Masao Sakuraba. Learning rule for a quantum neural network inspired by Hebbian learning. IEICE Transactions on Information and Systems. 2021. E104D. 2. 237-245
  • Wu Li, Masao Sakuraba, Shigeo Sato. Electron-cyclotron resonance Ar plasma-induced electrical activation of B atoms without substrate heating in B doped Si epitaxial films on Si(100). Materials Science in Semiconductor Processing. 2020. 107
  • 佐藤茂雄, 田村祐樹, 守谷 哲, 加藤達暉, 櫻庭政夫, 堀尾喜彦, Jordi Madrenas. A spiking neuron MOS circuit for low-power neuromorphic computation. Proceedings of International Symposium on Nonlinear Theory and Its Applications. 2019. 80-80
  • Yuki Tamura, Satoshi Moriya, Tatsuki Kato, Masao Sakuraba, Yoshihiko Horio, Shigeo Sato. An Izhikevich model neuron MOS crcuit for low voltage operation. Proceedings of 28th International Conference on Artificial Neural Networks. 2019. 718-723
もっと見る
MISC (14件)：
  • 栗原 祥太, 守谷 哲, 秋間 学尚, 櫻庭 政夫, 佐藤 茂雄. 深層神経回路網のハードウェア実装におけるシナプス荷重値分解能に関する研究 (ニューロコンピューティング). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2016. 116. 59. 23-28
  • 刑部 好弘, 佐藤 茂雄, 秋間 学尚, 櫻庭 政夫, 金城 光永. C-8-20 脳型計算の学習則を導入した断熱的量子計算手法の検討(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション). 電子情報通信学会総合大会講演論文集. 2016. 2016. 2. 48-48
  • 林茂人, 福田幸夫, 室田淳一, 櫻庭政夫, 小野俊郎. ナノ多層構造酸窒化誘電体の電気的特性. 精密工学会東北支部学術講演会講演論文集. 2011. 9-10
  • 小野俊郎, 室田淳一, 櫻庭政夫, 豊田宏, 福田幸夫. ECRスパッタ法による高誘電体ゲート膜の基板界面品質制御. 東北大学電気通信研究所研究活動報告. 2011. 17. 112-114
  • 櫻庭 政夫, 武藤 大祐, 森 聖樹, 菅原 勝俊, 室田 淳一. ECRプラズマCVDによるIV族半導体エピタキシャル成長. 電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会. 2006. 2006. 15. 39-43
もっと見る
特許 (17件)：
もっと見る
書籍 (7件)：
  • Chapter 4: Low-Energy Plasma CVD for Epitaxy and In-Situ Doping of Group-IV Semiconductors in Nanoelectronics (in "Chemical Vapor Deposition (CVD): Types, Uses and Selected Research" (ebook), Edited by Monica Powell, https://www.novapublishers.com/catalog
    Nova Science Publishers, Inc. 2017 ISBN:9781536109085
  • Chapter 4: Low-Energy Plasma CVD for Epitaxy and In-Situ Doping of Group-IV Semiconductors in Nanoelectronics (in "Chemical Vapor Deposition (CVD): Types, Uses and Selected Research" (Book), Edited by Monica Powell, pp.61-115, https://www.novapublishers.c
    Nova Science Publishers, Inc. 2017 ISBN:9781536108934
  • 薄膜ハンドブック(第2版,日本学術振興会薄膜第131委員会編), http://bit.ly/1Qt1cTk
    オーム社 2008 ISBN:9784274205194
  • 新訂版・表面科学の基礎と応用, http://bit.ly/1T0TZRl
    エヌ・ティー・エス社 2004 ISBN:4860430514
  • 21世紀版・薄膜作成応用ハンドブック, http://bit.ly/1LBSnFw
    エヌ・ティー・エス社 2003 ISBN:9784860430191
もっと見る
講演・口頭発表等 (303件)：
  • Epitaxy and In-Situ Doping of Group-IV Semiconductors by Low-Energy Plasma CVD for Nanoelectronics
    (11th Int. WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2018)
  • Si-Ge Alloy and Si Epitaxy by Low-Energy Plasma CVD for Semiconductor Device Fabrication
    (JSPS - FZ-Juelich Workshop -Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration- 2016)
  • Epitaxy and In-Situ Doping of Group-IV Semiconductors by Low-Energy Plasma CVD for Quantum Heterointegration in Nanoelectronics
    (Energy Materials Nanotechnology (EMN) Meeting on Epitaxy 2016)
  • Electronic Properties of Si/Si-Ge Alloy/Si(100) Heterostructures Formed by ECR Ar Plasma CVD without Substrate Heating
    (7th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VII) & Int. SiGe Technol. and Device Meeting (ISTDM 2016) 2016)
  • In-Situ B Doping Control in Si Film Deposition Using ECR Ar Plasma CVD without Substrate Heating
    (7th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VII) & Int. SiGe Technol. and Device Meeting (ISTDM 2016) 2016)
もっと見る
学歴 (3件)：
  • 1992 - 1995 東北大学 大学院工学研究科 電気及通信工学専攻 博士後期課程, 博士(工学)
  • 1990 - 1992 東北大学 大学院工学研究科 電気及通信工学専攻 博士前期課程, 修士(工学)
  • 1986 - 1990 東北大学 工学部 電気工学科, 学士(工学)
学位 (1件)：
  • 博士(工学) (東北大学)
経歴 (6件)：
  • 2023/04 - 現在 東北大学 電気通信研究所 附属ナノ・スピン実験施設 ナノ集積デバイス・システム研究室 量子へテロ構造高集積化プロセス研究部 准教授
  • 2012/04 - 2023/03 東北大学 電気通信研究所 附属ナノ・スピン実験施設 ナノ集積デバイス・プロセス研究室 量子へテロ構造高集積化プロセス研究部 准教授
  • 2007/04 - 2012/03 東北大学 電気通信研究所 附属ナノ・スピン実験施設 ナノへテロプロセス研究室 量子へテロ構造高集積化プロセス研究部 准教授
  • 2004/04 - 2007/03 東北大学 電気通信研究所 附属ナノ・スピン実験施設 ナノへテロプロセス研究部 助教授
  • 2002/08 - 2004/03 東北大学 電気通信研究所 附属超高密度・高速知能システム実験施設 原子制御プロセス部 助教授
全件表示
委員歴 (11件)：
  • 2014/03 - 現在 (社)応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 ULSIデバイス研究委員会, 幹事
  • 2013/04 - 2015/03 (社)応用物理学会 論文賞委員会
  • 2010/04 - 2012/03 (社)応用物理学会 和文機関紙「応用物理」編集委員会委員
  • 2008/02 - 2010/01 (社)電気学会 新IV族原子制御デバイス材料技術調査専門委員会 幹事補佐
  • 2008/01 - 2009/12 (社)応用物理学会 東北支部 庶務幹事
全件表示
受賞 (3件)：
  • 2015/11/27 - (財)石田實記念財団 平成27年度 石田實記念財団 研究奨励賞 「IV族半導体量子ヘテロ構造高集積化のためのプラズマCVDプロセスに関する研究」
  • 2002/03/26 - (財)トーキン科学技術振興財団 第12回(平成13年度) トーキン科学技術振興財団 研究奨励賞 「原子層積層によるIV族半導体量子ヘテロ構造の製作」
  • 1992/08/26 - 固体素子・材料に関する国際会議 1992年 固体素子・材料に関する国際会議 新人研究者賞 【対象論文】 “Atomic Layer Control of Germanium and Silicon on Silicon Using Flash Heating in Ultraclean Chemical Vapor Deposition”
所属学会 (2件)：
The Electrochemical Society ,  応用物理学会
※　J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。 登録・更新については、こちらをご覧ください。

前のページに戻る

TOP

BOTTOM