木内正人

キウチマサト | Kiuchi Masato

所属機関・部署：
職名：特任教授
ホームページURL (1件)： http://www.camt.eng.osaka-u.ac.jp/member.html

研究分野 (5件)：材料加工、組織制御 , 土木環境システム , 電気電子材料工学 , プラズマ科学 , プラズマ応用科学

研究キーワード (6件)：バイオ処理プラズマ分解硬質薄膜イオンビーム蒸着分子軌道法 , SiC , Molecular orbital method , hard coating , Ion beam Deposition , Dynamic ion beam mixing

競争的資金等の研究課題 (14件)：

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論文 (166件)：

Satoru Yoshimura, Takae Takeuchi, Masato Kiuchi. Low-energy O+ or SiO+ ion beam induced deposition of silicon oxide using hexamethyldisiloxane. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 2024. 549. 165276-165276
Satoru Yoshimura, Satoshi Sugimoto, Takae Takeuchi, Kensuke Murai, Masato Kiuchi. Silicon oxide film formation by spraying tetraethyl orthosilicate onto substrate with simultaneous low-energy SiO+ ion-beam irradiation. AIP Advances. 2023. 13. 11
Satoru Yoshimura, Satoshi Sugimoto, Takae Takeuchi, Kensuke Murai, Masato Kiuchi. Deposition of germanium dioxide films by the injection of oxygen ion beam in conjunction with hexamethyldigermane. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. 2023. 1056. 168707-168707
Satoru Yoshimura, Satoshi Sugimoto, Takae Takeuchi, Kensuke Murai, Masato Kiuchi. Low energy Si+, SiCH5+, or C+ beam injections to silicon substrates during chemical vapor deposition with dimethylsilane. Heliyon. 2023. e19002-e19002
Satoru Yoshimura, Satoshi Sugimoto, Takae Takeuchi, Masato Kiuchi. Low-energy Ar+ ion-beam-induced chemical vapor deposition of silicon dioxide films using tetraethyl orthosilicate. Heliyon. 2023. e14643-e14643

MISC (125件)：

学歴 (2件)：

学位 (1件)：

経歴 (7件)：

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受賞 (2件)：

所属学会 (4件)：

日本水環境学会 , 表面技術協会 , 応用物理学会 , 日本表面真空学会

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木内 正人