研究者

J-GLOBAL ID：200901036925806520 更新日: 2024年01月30日

齊藤丈靖

サイトウタケヤス | Saito Takeyasu

所属機関・部署：
職名：教授
ホームページURL (1件)： http://www.chemeng.osakafu-u.ac.jp/group6/index.html

研究分野 (5件)：反応工学、プロセスシステム工学 , 無機材料、物性 , 電気電子材料工学 , 薄膜、表面界面物性 , 電子デバイス、電子機器

研究キーワード (1件)：半導体プロセス工学半導体デバイス化学気相合成化学反応速度論半導体材料工学

競争的資金等の研究課題 (11件)：

2021 - 2024 細胞培養液中における金属粒子と細胞間の物理化学的挙動の解析と徐放性制御技術の構築
2018 - 2021 超臨界二酸化炭素で構造改変した熱硬化性樹脂由来活性炭による高性能キャパシタ作成
2015 - 2019 銅ダマシン配線細孔埋込み時の一価銅イオンの役割
2015 - 2018 超臨界二酸化炭素中における異種元素ドープ窒化鉄ナノ粒子の低温合成と安定性改善
2013 - 2017 ナノ材料のハンドリング手法を拡張する多面体酸化物ナノ結晶のプログラマブル集積

全件表示

論文 (73件)：

Natsuki Narumoto, Naoki Okamoto, Takeyasu Saito. Surface structure control and charge/discharge characteristics of bismuth anode materials by electrodeposition for magnesium-ion batteries. JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS. 2021
Atsushi Kobayashi, Shinya Ohmagari, Hitoshi Umezawa, Daisuke Takeuchi, Takeyasu Saito. Suppression of killer defects in diamond vertical-type Schottky barrier diodes (vol 59, SGGD10, 2020). JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2020. 59. 8
Atsushi Kobayashi, Shinya Ohmagari, Hitoshi Umezawa, Daisuke Takeuchi, Takeyasu Saito. Suppression of killer defects in diamond vertical-type Schottky barrier diodes. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2020. 59
Kanade Hokari, Shinichiro Suzuki, Naoki Okamoto, Takeyasu Saito, Isamu Ide, Masanobu Nishikawa, Yoshikazu Onishi. Structural Analysis of Furfural Resin-based Active Carbon to Control an Electric Double-layer Capacitor. ELECTROCHEMISTRY. 2020. 88. 3. 127-131
Takeyasu Saito, Kaname Izumi, Yuichiro Hirota, Naoki Okamoro, Kazuo Kondo, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura. Amorphous Carbon Film Deposition for Hydrogen Barrier in FeRAM Integration by Radio Frequency Plasma Chemical Vapor Deposition Method. ECS Transactions. 2019. 25. 8. 693-698

もっと見る

MISC (2件)：

学歴 (2件)：

- 1995 東京大学工学系研究科化学システム工学専攻
- 1991 東京大学工学部化学工学科

学位 (1件)：

博士(工学) (東京大学)

所属学会 (6件)：

Electrochemical Society , Materials Research Society , 表面技術協会 , エレクトロニクス実装学会 , 化学工学会 , 応用物理学会

※　J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。登録・更新については、こちらをご覧ください。

前のページに戻る

TOP

BOTTOM