研究者
J-GLOBAL ID：200901037042718989   更新日: 2024年02月14日

熊谷 義直

クマガイ ヨシナオ | Kumagai Yoshinao
所属機関・部署：
東京農工大学 工学研究院応用化学部門

東京農工大学 工学研究院応用化学部門 について


職名： 教授(ディスティングイッシュトプロフェッサー)
ホームページURL (1件)： http://www.tuat.ac.jp/~kumagai/
研究分野 (1件)： 結晶工学
研究キーワード (1件)： 結晶成長、気相成長、エピタキシー、窒化物半導体、酸化物半導体
競争的資金等の研究課題 (30件)：
  • 2022 - 2025 酸化インジウム固有の電子移動度解明のための低転位密度単結晶の創成
  • 2016 - 2021 化学平衡・非平衡制御による特異構造のボトムアップ創製
  • 2015 - 2018 バルク窒化アルミニウム結晶の点欠陥形成メカニズム解明によるn形導電性結晶の創出
  • 2017 - 2018 将来のパワーエレクトロニクスを支える基盤研究開発 酸化ガリウムパワーデバイス基盤技術の研究開発
  • 2016 - 2017 六方晶窒化ホウ素剥離層を利用したHVPE成長窒化アルミニウムの共同研究
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論文 (232件)：
  • Tomoka Nishikawa, Ken Goto, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama. Observation of nanopipes in edge-defined film-fed grown β-Ga2O3 substrate and their effect on homoepitaxial surface hillocks. Japanese Journal of Applied Physics. 2023
  • Rie Togashi, Ken Goto, Masataka Higashiwaki, Yoshinao Kumagai. Thermodynamic analysis of molecular beam epitaxy of group-III sesquioxides. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2023. 62. 5
  • Toshiyuki Iwamoto, Verdad Canila Agulto, Shuang Liu, Youwei Wang, Valynn Katrine Mag-usara, Takashi Fujii, Ken Goto, Yoshinao Kumagai, Makoto Nakajima. Characterization of electrical properties of β-Ga2O3 epilayer and bulk GaAs using terahertz time-domain ellipsometry. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. 62. SF
  • Yoshinao Kumagai, Ken Goto, Toru Nagashima, Reo Yamamoto, Michał Boćkowski, Junji Kotani. Influence of growth rate on homoepitaxial growth of AlN at 1450 °C by hydride vapor phase epitaxy. Applied Physics Express. 2022. 15. 11. 115501-115501
  • Rie Togashi, Haruka Ishida, Ken Goto, Masataka Higashiwaki, Yoshinao Kumagai. Thermodynamic analysis of β-Ga2O3 growth by molecular beam epitaxy. Japanese Journal of Applied Physics. 2022
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MISC (373件)：
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特許 (126件)：
  • 半導体基板、並びにエピタキシャルウエハ及びその製造方法
  • 半導体基板、並びにエピタキシャルウエハ及びその製造方法
  • 半導体基板、並びにエピタキシャルウエハ及びその製造方法
  • 半導体基板、並びにエピタキシャルウエハ及びその製造方法
  • 半導体基板、並びにエピタキシャルウエハ及びその製造方法
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書籍 (9件)：
  • ポストシリコン半導体 -ナノ成膜ダイナミクスと基板・界面効果-
    株式会社エヌ・ティー・エス 2013
  • 2013化合物半導体技術大全
    電子ジャーナル 2013
  • サイエンス&テクノロジー
    サイエンス&テクノロジー 2012
  • Springer Handbook of Crystal Growth
    Springer 2010
  • Springer Series in Materials Science 133, Technology of Gallium Nitride Crystal Growth
    Springer 2010
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講演・口頭発表等 (694件)：
  • Nondestructive Characterization of Carrier Density and Mobility in β-Ga2O3 Using Terahertz Waves
    (第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021)
  • MOVPE法を用いたβ-Ga2O3成長の熱力学解析とその実験的検証
    (第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021)
  • 多光子励起フォトルミネッセンス法によるβ-Ga2O3結晶の三次元イメージング
    (第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021)
  • Investigation of OMVPE growth for beta gallium oxide by thermodynamic and experimental studies
    (22nd American Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ACCGE-22) and 20th US Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE-20) 2021)
  • Terahertz time-domain spectroscopy of wide-bandgap semiconductors GaN and β-Ga2O3
    (The 12th International Conference on Information Optics and Photonics (CIOP 2021) 2021)
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Works (3件)：
  • 酸化亜鉛系化合物半導体用の結晶成長装置開発および結晶成長技術に関わる研究
    2009 - 2010
  • 酸化亜鉛系化合物半導体用の結晶成長装置開発および結晶成長技術に関わる研究
    2009 - 2010
  • 酸化亜鉛系化合物半導体用の結晶成長装置開発および結晶成長技術に関わる研究
    2008 - 2009
学歴 (2件)：
  • 1991 - 1996 筑波大学 大学院 工学研究科 物質工学専攻
  • 1987 - 1991 筑波大学 第三学群(基礎工学類) 物質分子工学専攻
学位 (1件)：
  • 博士(工学) (筑波大学)
経歴 (5件)：
  • 2013/12/01 - 東京農工大学 大学院工学研究院 応用化学部門 教授
  • 2004/04/01 - 2013/11/30 東京農工大学 大学院工学研究院 応用化学部門 准教授
  • 2001/08/01 - 2004/03/31 東京農工大学 工学部 応用分子化学科 講師
  • 1999/04/01 - 2001/07/31 東京農工大学 工学部 応用分子化学科 助手
  • 1996/04/01 - 1999/03/31 株式会社テキサス・インスツルメンツ 筑波研究開発センター 電子材料研究室 研究員
委員歴 (11件)：
  • 2014/04 - 2020/03 応用物理学会 結晶工学分科会 幹事
  • 2013/04 - 2019/03 日本結晶成長学会 評議員
  • 2016/11/04 - 2018/03/31 International Workshop on UV Materials and Devices 2017 (IWUMD-2017), November 15-18, 2017, Kyushu University, Fukuoka, Japan プログラム委員
  • 2016/11/04 - 2018/03/31 International Workshop on UV Materials and Devices 2017 (IWUMD-2017), November 15-18, 2017, Kyushu University, Fukuoka, Japan Program Committee
  • 2016/05 - 2017/04 The 5th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA ’17), April 19-21, 2017, Pacifico Yokohama, Yokohama, Japan Executive Committee Chair
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受賞 (3件)：
  • 2014/09/17 - 応用物理学会 第36回応用物理学会論文賞(応用物理学会優秀論文賞) Performance and Reliability of Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on AlN Substrates Prepared by Hydride Vapor Phase Epitaxy
  • 2013/11/06 - 日本結晶成長学会 第20回日本結晶成長学会技術賞 HVPE法による窒化アルミニウム単結晶基板の開発
  • 2013/09/16 - 応用物理学会 第35回応用物理学会論文賞(応用物理学会優秀論文賞) Preparation of a Freestanding AlN Substrate from a Thick AlN Layer Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy on a Bulk AlN Substrate Prepared by Physical Vapor Transport
所属学会 (2件)：
日本結晶成長学会 ,  応用物理学会
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