研究者
J-GLOBAL ID：200901037332506802   更新日: 2024年04月09日

大竹 晃浩

オオタケ アキヒロ | Ohtake Akihiro
所属機関・部署：
独立行政法人物質・材料研究機構 機能性材料研究拠点

独立行政法人物質・材料研究機構 機能性材料研究拠点 について


職名： 主幹研究員
その他の所属（所属・部署名・職名） (1件)：
研究分野 (5件)： 結晶工学 ,  電気電子材料工学 ,  薄膜、表面界面物性 ,  ナノバイオサイエンス ,  ナノ材料科学
研究キーワード (6件)： 分子線エピタキシー ,  電子回析 ,  表面再配列 ,  Molecular beam epitaxy ,  Electron diffraction ,  Surface reconstruction
競争的資金等の研究課題 (8件)：
  • 2013 - 2016 液滴エピタキシー法による理想的な量子ドットの自己形成
  • 2012 - 2015 III-V族pチャネルMOSFETのための価電子帯エンジニアリングと界面双極子制御
  • 2010 - 2012 原子状窒素により処理された化合物半導体表面構造の検討
  • 2010 - 2012 Mn-GaAs系二次元構造制御による新奇強磁性物質の創製と磁性発現機構の解明
  • 2006 - 2012 high-k絶縁膜/化合物半導体界面制御
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論文 (113件)：
  • Xu Yang, Shisheng Li, Naoki Ikeda, Akihiro Ohtake, Yoshiki Sakuma. Scalable growth of atomically thin MoS2 layers in a conventional MOCVD system using molybdenum dichloride dioxide as the molybdenum source. Applied Surface Science. 2023. 636. 157756-157756
  • Akihiro Ohtake, Takayuki Suga, Shunji Goto, Daisuke Nakagawa, Jun Nakamura. Atomic structure of the Se-passivated GaAs(001) surface revisited. Scientific Reports. 2023. 13. 1
  • Takaaki Mano, Akihiro Ohtake, Takuya Kawazu, Hideki T. Miyazaki, Yoshiki Sakuma. Low Dark Current Operation in InAs/GaAs(111)A Infrared Photodetectors: Role of Misfit Dislocations at the Interface. ACS Applied Materials & Interfaces. 2023. 15. 24. 29636-29642
  • Akihiro Ohtake, Xu Yang. Fabrication of Lattice-Mismatched MoTe<sub>2</sub>/MoSe<sub>2</sub> Heterostructures using Molecular-Beam Epitaxy. Crystal Growth & Design. 2023. 23. 7. 5001-5007
  • Akihiro Ohtake, Xu Yang, Jun Nara. Structure and morphology of 2H-MoTe2 monolayer on GaAs(111)B grown by molecular-beam epitaxy. npj 2D Materials and Applications. 2022. 6. 1
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MISC (39件)：
  • 大竹晃浩, 間野高明, 宮田典幸, 森貴洋, 安田哲二. Si(111)上でのGaSbヘテロエピタキシーとHfO2/GaSb MOSキャパシタの作製. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2014. 75th. ROMBUNNO.19P-PB5-14
  • 宮田典幸, 大竹晃浩, 市川昌和, 森貴洋, 安田哲二. Si(001)上のGaSbナノコンタクトヘテロエピ成長とHfO2/GaSb MOS特性. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2014. 75th. ROMBUNNO.20A-PA3-7
  • 宮田典幸, 大竹晃浩, 市川昌和, 安田哲二. GaSb(100)-c(2x6)表面に形成したHfO2MOSキャパシタの電気特性. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2013. 60th. ROMBUNNO.29P-PB1-15
  • 菅野 雄介, 大竹 晃浩, 中村 淳. 26pPSB-36 Mn吸着(2×2)-GaAs(001)表面構造および電子状態(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)). 日本物理学会講演概要集. 2012. 67. 1. 964-964
  • 菅野 雄介, 大竹 晃浩, 平山 基, 中村 淳. 23pPSB-7 GaAs(001)-(2×2)Mn表面の原子配列と電子状態評価(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)). 日本物理学会講演概要集. 2011. 66. 2. 946-946
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特許 (8件)：
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学歴 (4件)：
  • 早稲田大学理工学部材料工学科
  • 早稲田大学大学院理工学研究科資源及び材料工学専攻材料工学専門分野
  • Department of Materials Science and Engineering, School of Science and Engineering, Waseda University
  • Materials Science and Engineering, Graduate School of Science and Engineering Waseda University
学位 (1件)：
  • 工学博士
経歴 (9件)：
  • 2001 - :独立行政法人物質・材料研究機構研究員
  • 2001 - : Researcher at National Institute for Materials
  • 1996 - :アトムテクノロジー研究体研究員
  • 1996 - : Research Scientist at Joint Research Center for Atom
  • 1994 - :早稲田大学理工学部助手
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所属学会 (4件)：
日本物理学会 ,  応用物理学会 ,  The Physical Society of Japan ,  Japan Society of Applied Physics
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