研究者
J-GLOBAL ID:200901037627337964
更新日: 2020年05月14日
川島 義也
カワシマ ヨシヤ | Kawashima Yoshiya
所属機関・部署:
旧所属 成蹊大学 工学研究科 物理情報工学専攻
旧所属 成蹊大学 工学研究科 物理情報工学専攻 について
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職名:
大学院生(博士課程)
研究分野 (2件):
電気電子材料工学
, 薄膜、表面界面物性
研究キーワード (6件):
Interface
, Semiconductor Device
, Secondary Ion Mass Spectrometry
, 界面
, 半導体デバイス
, 二次イオン質量分析法
競争的資金等の研究課題 (2件):
2000 - 2005 半導体デバイスの界面物性評価技術に関する研究
2000 - 2005 Study of Interface Characterization of Semiconductor Device
MISC (21件):
Y Kawashima, T Ichikawa, N Nakamura, S Obata, Y Den, H Kawano, T Ide, M Kudo. Study of FSG/SiO2 double interlayer conditions to prevent Al wiring delamination for sub-0.18-mu M device integration. IEEE TRANSACTIONS ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING. 2002. 15. 4. 497-505
Y Kawashima, T Ichikawa, N Nakamura, S Obata, Y Den, H Kawano, T Ide, M Kudo. Study of FSG/SiO2 double interlayer conditions to prevent Al wiring delamination for sub-0.18-mu M device integration. IEEE TRANSACTIONS ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING. 2002. 15. 4. 497-505
M Wilde, M Matsumoto, K Fukutani, ZY Liu, K Ando, Y Kawashima, S Fujieda. Influence of H-2-annealing on the hydrogen distribution near SiO2/Si(100) interfaces revealed by in situ nuclear reaction analysis. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2002. 92. 8. 4320-4329
M Wilde, M Matsumoto, K Fukutani, ZY Liu, K Ando, Y Kawashima, S Fujieda. Influence of H-2-annealing on the hydrogen distribution near SiO2/Si(100) interfaces revealed by in situ nuclear reaction analysis. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2002. 92. 8. 4320-4329
The role of SIMS in the analysis of new materials used for LSI devices. Journal of Surface Analysis. 2000. 7(3), A77-A80
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Works (2件):
半導体デバイス界面の評価技術に関する研究
1999 - 2000
Study of Interface Characterization of Semiconductor Device
1999 - 2000
学歴 (4件):
- 1995 早稲田大学 理工学研究科 物理学及び応用物理学
- 1995 早稲田大学
- 1993 早稲田大学 理工学部 応用物理学科
- 1993 早稲田大学
学位 (1件):
修士(理学) (早稲田大学)
所属学会 (2件):
応用物理学会
, The Japan Society of applied physics
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