研究者
J-GLOBAL ID:200901037627337964   更新日: 2020年05月14日

川島 義也

カワシマ ヨシヤ | Kawashima Yoshiya
所属機関・部署:
職名: 大学院生(博士課程)
研究分野 (2件): 電気電子材料工学 ,  薄膜、表面界面物性
研究キーワード (6件): Interface ,  Semiconductor Device ,  Secondary Ion Mass Spectrometry ,  界面 ,  半導体デバイス ,  二次イオン質量分析法
競争的資金等の研究課題 (2件):
  • 2000 - 2005 半導体デバイスの界面物性評価技術に関する研究
  • 2000 - 2005 Study of Interface Characterization of Semiconductor Device
MISC (21件):
Works (2件):
  • 半導体デバイス界面の評価技術に関する研究
    1999 - 2000
  • Study of Interface Characterization of Semiconductor Device
    1999 - 2000
学歴 (4件):
  • - 1995 早稲田大学 理工学研究科 物理学及び応用物理学
  • - 1995 早稲田大学
  • - 1993 早稲田大学 理工学部 応用物理学科
  • - 1993 早稲田大学
学位 (1件):
  • 修士(理学) (早稲田大学)
所属学会 (2件):
応用物理学会 ,  The Japan Society of applied physics
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