研究者
J-GLOBAL ID:200901038234147051   更新日: 2024年01月30日

寒川 誠二

サムカワ セイジ | Samukawa Seiji
所属機関・部署:
職名: 教授
その他の所属(所属・部署名・職名) (2件):
  • 東北大学  材料科学高等研究所   教授
  • 国立研究開発法人産業技術総合研究所  ナノエレクトロニクス研究部門   フェロー
ホームページURL (2件): http://www.ifs.tohoku.ac.jp/samukawa/japanese/index.htmlhttp://www.ifs.tohoku.ac.jp/samukawa/index.html
研究分野 (7件): ナノバイオサイエンス ,  ナノ構造物理 ,  生体医工学 ,  電子デバイス、電子機器 ,  プラズマ科学 ,  応用物理一般 ,  薄膜、表面界面物性
研究キーワード (9件): 原子層プロセス ,  バイオナノテクノロジー ,  グリーンナノテクノロジー ,  ナノデバイス ,  表面科学 ,  バイオ ,  原子分子操作 ,  ビーム ,  プラズマ
競争的資金等の研究課題 (21件):
  • 2004 - 現在 バイオテクノロジーとナノテクノロジーの融合による革新的デバイス開発
  • 2000 - 現在 ダメージフリープラズマエッチングプロセス
  • 2000 - 現在 究極のトップダウン加工プロセス(中性粒子ビーム)
  • 2020 - 2025 無欠陥ナノ周期構造によるフォノン場制御を用いた高移動度半導体素子
  • 2021 - 2024 化学反応と界面流動現象を包括したCVD/ALD法における薄膜堆積モデルの構築
全件表示
論文 (661件):
  • Tomoki Harada, Daisuke Ohori, Kazuhiko Endo, Seiji Samukawa, Tetsuo Ikari, Atsuhiko Fukuyama. Lifetime of photoexcited carriers in space-controlled Si nanopillar/SiGe composite films investigated by a laser heterodyne photothermal displacement method. Journal of Applied Physics. 2023. 133. 12
  • Beibei Ge, Daisuke Ohori, Yi-Ho Chen, Takuya Ozaki, Kazuhiko Endo, Yiming Li, Jenn-Hwan Tarng, Seiji Samukawa. Room-temperature and high-quality HfO2/SiO2 gate stacked film grown by neutral beam enhanced atomic layer deposition. JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A. 2022. 40. 2
  • Takahiro Ishihara, Daisuke Ohori, Xuelun Wang, Kazuhiko Endo, Nobuhiro Natori, Daisuke Sato, Yiming Li, Seiji Samukawa. Hydrogen Iodide (HI) Neutral Beam Etching for InGaN/GaN Micro-LED. Proceedings of the IEEE Conference on Nanotechnology. 2022. 2022-July. 48-51
  • 安良田, 裕基, 原田, 知季, 森田, 浩右, 大堀, 大介, 寒川, 誠二, 碇, 哲雄, 福山, 敦彦. ナノピラー(NP)間隔を変化させたSi-NP/SiGe複合膜の熱および光学的特性評価. 宮崎大学工学部紀要 = Miyazaki University Faculty of Engineering, University of Miyazaki. 2021. 50. 59-63
  • Daisuke Ohori, Takahiro Sawada, Kenta Sugawara, Masaya Okada, Ken Nakata, Kazutaka Inoue, Daisuke Sato, Seiji Samukawa. Selective atomic layer reaction between GaN and SiN in HBr neutral beam etching. Journal of Vacuum Science & Technology A. 2021. 39. 4. 042601-042601
もっと見る
MISC (134件):
  • 紺野太壱, 大堀大介, 日高睦夫, 野田周一, 遠藤和彦, 向井寛人, 向井寛人, 朝永顕成, 朝永顕成, TSAI J.S., et al. 中性粒子ビーム酸化により制御されたNb酸化膜厚が超伝導共振器性能に与える影響. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2022. 69th
  • 紺野太壱, 大堀大介, 日高睦夫, 遠藤和彦, 向井寛人, TSAI J.S., TSAI J.S., 寒川誠二, 寒川誠二, 寒川誠二. 中性粒子ビームプロセスによるNb表面酸化膜制御とQ値に与える影響. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 68th
  • 紺野太壱, 大堀大介, 日高睦夫, 野田周一, 遠藤和彦, 向井寛人, 朝永顕成, 朝永顕成, TSAI J.S., TSAI J.S., et al. 中性粒子ビームにより制御されたNb電極表面酸化膜が超伝導共振器に与える影響. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 82nd
  • 高橋庸夫, 寒川誠二, 有田正志, 大野武雄, 福地厚, 遠藤和彦, 李遠霖, 瘧師貴幸. ナノ構造を用いた多機能ナノデバイス作成とその応用に関する研究. 東北大学流体科学研究所共同利用・共同研究拠点流体科学国際研究教育拠点活動報告書. 2021. 2019 (CD-ROM)
  • 紺野太壱, 大堀大介, 日高睦夫, 遠藤和彦, 向井寛人, TSAI J.S., 寒川誠二, 寒川誠二, 寒川誠二. 中性粒子ビームによるNb表面酸化膜組成がQ値に与える影響. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2020. 81st
もっと見る
特許 (67件):
  • 成膜方法及び熱処理装置
  • 低誘電率膜
  • 遷移金属膜の酸化処理方法および酸化処理装置
  • 成膜方法及び熱処理装置
  • 基板処理装置
もっと見る
書籍 (3件):
  • Intelligent Nanosystems for Energy, Information and Biological Technologies
    Springer 2016
  • Feature Profile Evolution in Plasma Processing Using On-wafer Monitoring System
    Springer 2014
  • 新版 ULSIデバイス・プロセス技術
    コロナ社 2013
講演・口頭発表等 (614件):
  • マイクロLED技術の現状と今後の展開
    (GaN系材料の原子層無損傷加工技術, 応用物理学会 シリコンナノテクノロジー分科会 第220回研究集会 2019)
  • Atomic Layer Etching, Deposition and Modification Processes for Novel Nano-materials and Nano-devices
    (3rd Asia-Pacific Conference on Plasma Physics 2019)
  • Atomic Layer Defect-free Etching for Future sub-10nm Nano-devices
    (2019 International Electron, Devices and Materials Symposium 2019)
  • Creating Green Nanostructures and Nanomaterials for Advanced Energy Nanodevices
    (IEEE Distinguished Lecturer Program (Universiti Malaysia Perlis 2019)
  • Creating Green Nanostructures and Nanomaterials for Advanced Energy Nanodevices
    (IEEE International Microwave, Electron Devices & Solid-State Circuit Symposium (IMESS) 2019 2019)
もっと見る
学歴 (2件):
  • - 1992 慶應義塾大学 理工学部(工学博士)
  • 1977 - 1981 慶應義塾大学 工学部 計測工学科
学位 (1件):
  • 工学博士 (慶應義塾大学)
経歴 (2件):
  • 2015/04 - 現在 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門 フェロー
  • 2013/04 - 現在 東北大学 材料科学高等研究所 教授
委員歴 (93件):
  • 2021/01 - 現在 IEEE Transactions on Nanotechnology Senior Editor
  • 2020/01 - 現在 IEEE Open Journal of Nanotechnology Co-Editor in Chief
  • 2018/01 - 現在 IEEE Fellow
  • 2015/01 - 現在 IEEE International Electron Device Meeting Program Committee
  • 2013/04 - 現在 IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference International Advisory Committee
全件表示
受賞 (23件):
  • 2019/01 - The Institute of Electrical and Electronics Engineers ディ スティングイッシュト・レクチャラー ディ スティングイッシュト・レクチャラー
  • 2019 - IEEE IEEE Distinguished Lecturers 2019 Creating Green Nanostructures and Nanomaterials for Advanced Energy Nanodevices
  • 2018/12 - IEEE International Electron Device Meeting IEEE Fellow
  • 2016/08/25 - IEEE 16th International Conference on Nanotechnology Best Paper Award
  • 2015/11/20 - International Electron Devices and Materials Symposium 2015 International Electron Devices and Materials Symposium 2015 Best Paper Award Miniband Dependence on the Density of Ge/Si Quantum Dots for Solar Cell Application
全件表示
所属学会 (11件):
IEEE ,  応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 ,  物理学会原子衝突協会 ,  電気学会電子衝突断面積専門調査委員会 ,  電気学会専門調査委員会”非平衡プラズマのモデリングと微細加工” ,  米国物理学会 ,  応用物理学会反応性プラズマ国際会議 ,  応用物理学会国際マイクロプロセスコンファレンス論文委員 ,  American Vacuum Society ,  電気学会ドライプロセスシンポジウム ,  応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会
※ J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。 登録・更新については、こちらをご覧ください。

前のページに戻る