研究者
J-GLOBAL ID:200901038469485841   更新日: 2024年01月31日

佐道 泰造

サドウ タイゾウ | Sadoh Taizoh
所属機関・部署:
職名: 准教授
ホームページURL (1件): http://nano.ed.kyushu-u.ac.jp/~sadoh_lab/
研究分野 (4件): 電子デバイス、電子機器 ,  結晶工学 ,  応用物性 ,  半導体、光物性、原子物理
研究キーワード (5件): 半導体工学 ,  固体物性I ,  応用物性・結晶工学 ,  Solid-State Physics I ,  Applied Physics of Property and Crystallography
競争的資金等の研究課題 (32件):
  • 2022 - 2025 絶縁膜上における極薄半導体膜の高品位形成と三次元トランジスタへの応用
  • 2022 - 2025 電子ビームを用いたアモルファスGeSnの室温・瞬間結晶化技術の確立と電気特性評価
  • 2019 - 2022 絶縁膜上における高キャリア移動度半導体の非熱平衡プロセスと超高速集積回路への応用
  • 2016 - 2018 直接遷移型GeSnを用いた高性能トンネル型トランジスタの創製
  • 2015 - 2018 絶縁膜上におけるGeSn結晶の低温成長と三次元LSI超高速トランジスタへの応用
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論文 (203件):
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MISC (187件):
特許 (7件):
書籍 (1件):
  • 電気電子工学シリーズ5 電子デバイス工学
    朝倉書店 2007
Works (13件):
  • ヘテロ半導体におけるドライプロセス誘起欠陥の挙動解明と制御
    2002 - 2003
  • Research on defects induced by dry-processing in hetero-semiconductor
    2002 - 2003
  • Si系ヘテロ混晶の非熱平衡成長の創出とボンド配列の制御による新機能探索研究
    2001 - 2003
  • Research on formation of Si-hetero semiconductor by bond modulation
    2001 - 2003
  • 過剰空孔の導入及びその緩和過程制御による擬似単結晶Si形成技術の研究
    2000 - 2002
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学歴 (4件):
  • - 1995 九州大学 工学研究科 電気工学
  • - 1995 九州大学
  • - 1992 九州大学 工学部 電気工学
  • - 1992 九州大学
学位 (1件):
  • 博士(工学) (九州大学)
経歴 (3件):
  • 2007 - 現在 九州大学 大学院システム情報科学研究院
  • 1996 - 2007 九州大学 大学院システム情報科学研究科
  • 1995 - 1996 九州大学 工学部電子工学科
受賞 (1件):
  • 1994 - 電気学会論文発表賞
所属学会 (4件):
電子情報通信学会 ,  米国電気電子工学会 ,  電気学会 ,  応用物理学会
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