研究者
J-GLOBAL ID:200901039775240328   更新日: 2024年01月30日

保田 英洋

ヤスダ ヒデヒロ | HIDEHIRO YASUDA
所属機関・部署:
職名: 教授
研究分野 (1件): 無機材料、物性
競争的資金等の研究課題 (37件):
  • 2019 - 2022 実環境下の損傷敏感試料に微細領域の動態観測技術をもたらす半導体電子ビーム源
  • 2017 - 2021 次世代完全レア・アースフリー磁石として利用可能なL10規則相の人工的創製研究開発
  • 2017 - 2020 Dmp1の分泌経路と翻訳後修飾が骨細胞の機能に果たす役割
  • 2016 - 2018 低次元性と極限環境を利用した新奇ナノ磁石の創製
  • 2015 - 2018 格子欠陥挙動の正確な理解に基づいた材料照射損傷の新たな抑制原理の確立
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論文 (52件):
MISC (238件):
  • K. Sato, H. Yasuda. Probing threading dislocations in a micrometer-thick GaN film by high-voltage scanning transmission electron microscopy. Microscopy and Microanalysis. 2019. 25. Suppl 2. 842-843
  • 佐藤和久, 佐藤和久, 保田英洋, 保田英洋, 市川修平, 市川修平, 今村真幸, 高橋和敏, 波多聰, 波多聰, et al. フォトン照射によるPt/SiOx界面固相反応. 日本物理学会講演概要集(CD-ROM). 2019. 74. 2. 2249-2249
  • K. Sato, H. Yasuda. In situ UHVEM observation of atomic ordering in magnetic nanoparticles using a direct detection camera. Proceedings of the 16th European Microscopy Congress. 2016. 6114 (4 pages)
  • 保田 英洋, 永瀬 丈嗣, 森 博太郎, 今村 真幸. 28pAM-6 軌道選択的電子励起によるPt/SiO_x薄膜の界面反応とシリサイド生成(28pAM 格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン)). 日本物理学会講演概要集. 2014. 69. 1. 931-931
  • 保田 英洋, 新田 紀子, 今村 真幸, 森 博太郎. 20pHT-4 SiC多形結晶の電子照射誘起構造変化に及ぼす電子励起効果と弾き出し効果(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン)). 日本物理学会講演概要集. 2010. 65. 1. 978-978
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学位 (2件):
  • 工学博士(大阪大学)
  • 工学修士(大阪大学)
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