研究者
J-GLOBAL ID：200901040469750159
更新日: 2020年06月06日
大野 恭秀
オオノ ヤスヒデ | Ohno Yasuhide
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所属機関・部署：
大阪大学 産業科学研究所 量子機能科学研究部門 半導体量子科学分野
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職名：
助手
ホームページURL (1件)：
http://d310.mp.es.osaka-u.ac.jp
研究分野 (4件)：
電子デバイス、電子機器
, 光工学、光量子科学
, 結晶工学
, 応用物性
競争的資金等の研究課題 (2件)：
自然形成型(nnm)B In Ga As 量子細線の開発とレーザへの応用
Development of self-organized In Ga As quantum wires an (nnm)B-oriented substrates and their laser application
MISC (10件)：
Y Ohno, H Kanamori, S Shimomura, S Hiyamizu. High characteristic temperature (T-0=243 K) of stacked InGaAs quantum wire lasers grown on (775)B GaAs substrates by molecular beam epitaxy. JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B. 2002. 20. 3. 1270-1273
Y Ohno, H Kanamori, S Shimomura, S Hiyamizu. High characteristic temperature (T-0=243 K) of stacked InGaAs quantum wire lasers grown on (775)B GaAs substrates by molecular beam epitaxy. JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B. 2002. 20. 3. 1270-1273
Room temperature lasing of quantum wire VCSELs by optical pumping grown on the (775)B GaAs substrates by MBE. Physica E. 2002. Vol.13 pp.892-895
Room temperature lasing of quantum wire VCSELs by optical pumping grown on the (775)B GaAs substrates by MBE. Physica E. 2002. Vol.13 pp.892-895
Y Ohno, T Nitta, S Shimomura, S Hiyamizu. Stacking effect of self-organized In0.15Ga0.85As quantum wires grown on (775)B-oriented GaAs substrates by molecular beam epitaxy. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2001. 227. 970-974
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学歴 (2件)：
- 2002 大阪大学 基礎工学研究科 物理系
- 2002 大阪大学
学位 (1件)：
(工学)博士 (大阪大学)
所属学会 (1件)：
応用物理学会
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