研究者
J-GLOBAL ID:200901040955350642   更新日: 2023年03月24日

小林 清輝

コバヤシ キヨテル | Kobayashi Kiyoteru
所属機関・部署:
職名: 教授
その他の所属(所属・部署名・職名) (2件):
研究分野 (3件): 電気電子材料工学 ,  電子デバイス、電子機器 ,  薄膜、表面界面物性
研究キーワード (5件): 不揮発性半導体メモリ ,  絶縁薄膜の物性と電気特性 ,  電荷捕獲絶縁膜 ,  半導体集積回路プロセス技術 ,  電荷捕獲メモリ
競争的資金等の研究課題 (3件):
  • 2018 - 2021 電荷捕獲膜のトラップ準位のエネルギー分布制御に関する研究
  • 2014 - 2017 低誘電率絶縁膜の電荷捕獲メモリへの応用に関する研究
  • 2009 - 2012 不揮発性メモリ用絶縁膜の電荷トラップに関する研究
論文 (60件):
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MISC (19件):
特許 (10件):
  • Semiconductor device and manufacturing method thereof
  • Semiconductor device comprising trench-isolated transistors
  • Non-volatile semiconductor memory device with improved performance
  • Methods of writing/erasing of nonvolatile semiconductor storage device
  • Nonvolatile semiconductor device
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書籍 (7件):
  • 集積回路のための半導体デバイス工学
    コロナ社 2018 ISBN:9784339009095
  • ECS Transactions, Volume 75, Issue 32, PRiME 2016/230th ECS Meeting, October 2, 2016 - October 7, 2016, Honolulu, Nonvolatile Memories 5
    The Electrochemical Society 2017
  • ECS Transactions Volume 69, Issue 3 228th ECS Meeting October 11, 2015 - October 15, 2015 Phoenix, AZ Nonvolatile Memories 4
    The Electrochemical Society 2015
  • ECS Transactions Volume 64 Cancun, Mexico, October 5 - 9, 2014 2014 ECS and SMEQ Joint International Meeting
    The Electrochemical Society 2014
  • 電気化学便覧 第6版
    丸善 2013
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講演・口頭発表等 (30件):
  • First-Principles Calculation for Defect Levels of 3d Transition Metals Doped in Silicon Nitride
    (2022 9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces 2022)
  • Determination of charge centroid locations of electrons and holes trapped in silicon nitride charge-trap layers
    (Asia Pacific Society for Materials Research 2021 Annual Meeting 2021)
  • Determination of Charge Centroid and Density of Holes Trapped in Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor-type Non-Volatile Memory Devices
    (Abstracts of 28th International Conference on Amorphous and Nano-crystalline Semiconductors (ICANS) 2019)
  • Determination of the Charge Centroid of Holes Trapped in MONOS-Type Memories at High Gate Voltages,
    (18th Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS 2018) 2018)
  • Experimental Extraction of the Charge Centroid of Holes Trapped in Metal-OxideNitride-Oxide-Semiconductor Memories
    (Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science 2018)
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学歴 (3件):
  • 1997 - 1997 名古屋大学 大学院工学研究科 結晶材料工学専攻より博士(工学)の学位を授与
  • 1981 - 1983 名古屋大学大学院 工学研究科 応用物理学専攻前期課程
  • 1977 - 1981 名古屋大学 工学部 応用物理学科
学位 (1件):
  • 博士(工学) (名古屋大学)
経歴 (3件):
  • 2005/04 - 現在 東海大学
  • 2003/04 - 2005/03 株式会社ルネサステクノロジ
  • 1983/04 - 2003/03 三菱電機株式会社
委員歴 (18件):
  • 2023/03 - 現在 第87回半導体・集積回路技術シンポジウム プログラム委員会 委員長
  • 2020 - 現在 日本学術振興会R025先進薄膜界面機能創成委員会 委員
  • 2011 - 現在 私立大学情報教育協会 CCC電気通信工学グループ運営委員会 運営委員
  • 2007 - 現在 電気化学会電子材料委員会 副委員長
  • 2021 - 2022 ISCSI-IX (9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces) 国際プログラム委員会 委員
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所属学会 (4件):
The Electrochemical Society ,  電子情報通信学会 ,  電気化学会 ,  応用物理学会
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