研究者

J-GLOBAL ID：200901043505211870 更新日: 2022年09月13日

山田一二

ヤマダカズジ | Yamada Kazuji

所属機関・部署：
職名：文部科学教官

研究分野 (1件)：電子デバイス、電子機器

研究キーワード (7件)：エネルギバンド構造 , 移動度 , 応力(歪)効果 , MOS , シリコン , TRIZ , Semiconductor Devices

競争的資金等の研究課題 (2件)：

2002 - 2007 シリコンデバイスの応力効果に関する研究
2002 - Stress effect on Si devices

MISC (25件)：

電力用半導体パッケージの振動解析. 電気学会論文誌. 2000. Vol. 120-D, No. 4
A novel Low-Cost and High-Reliability IGBT Module for General Use. 7th European Conference on Power Electronics & Applications. 1997. pp3.092-3.097
松岡祥隆, 山本芳巳, 田辺正則, 山田一二, 嶋田智, 保川彰夫, 松坂英俊. 高圧用ピエゾ抵抗形圧力センサに関する非直線誤差の温度依存性. 計測自動制御学会論文集. 1995. Vol.31, No. 9, pp1005-1014. 8. 1005-1014
Low Pressure Measurement Limit for Silicon Piezoresistive Circular Diaphragm. J. Micromech. Microeng. 1995. Vol. 5, pp32-35
Characteristic Analysis of a Pressure Sensor Using the Silicon Piezoresistance Effect for High-Pressure Measurement. J. Micromech. Microeng. 1995. Vol. 5, pp25-31

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学歴 (2件)：

- 1971 名古屋工業大学大学院工学研究科電気工学
- 1969 名古屋工業大学電気工学科

学位 (1件)：

工学博士, (東北大学)

経歴 (2件)：

1971 - 2002 日立製作所日立研究所研究員(主任研究員,主管研究員)
2002 - - 鹿児島工業高等専門学校情報工学科教授

受賞 (1件)：

1985 - IEEE IECON 論文賞

所属学会 (5件)：

日本工学教育協会 , 応用物理学会 , 電気学会 , 電子情報通信学会 , IEEE Electron Devices

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