菅原宏治

スガワラヒロハル | Sugawara Hiroharu

所属機関・部署：
職名：准教授

研究分野 (4件)：応用物性 , 電気電子材料工学 , 磁性、超伝導、強相関系 , 半導体、光物性、原子物理

競争的資金等の研究課題 (8件)：

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論文 (25件)：

Keita Mukogawa, Hiroharu Sugawara, Mizuki Fujiwara, Tetsushi Matsuoka, Tetsuhide Shimizu, Taiki Yamamoto, Naoto Saito, Tamaki Hattori, Tatsuro Hanahjiri, Shunji Kurosu. Preliminary study for deposition of Mg<sub>2</sub>Si thin films with high-power impulse magnetron sputtering. JJAP Conference Proceedings. 2023. 10. 011003-011003
Yoji Imai, Hiroharu Sugawara, Yoshihisa Mori, Shigeyuki Nakamura, Atsushi Yamamoto, Ken-ichi Takarabe. Energetic consideration of compounds at Mg2Si-Ni electrode interlayer produced by spark-plasma sintering. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2017. 56. 5
H. Sugawara, F. Tanoue, S. Kitamura, T. Katsuyama, K. Akahane, N. Yamamoto. Time-resolved photoluminescence study of InGaAs quantum dot structure prepared by ultrahigh-rate molecular beam epitaxial growth technique. Conference Digest - IEEE International Semiconductor Laser Conference. 2014. 147-148
H. Sugawara, F. Tanoue, S. Kitamura, T. Katsuyama, K. Akahane, N. Yamamoto. Time-Resolved Photoluminescence Study of InGaAs Quantum Dot Structure Prepared by Ultrahigh-rate Molecular Beam Epitaxial Growth Technique. 2014 24TH IEEE INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR LASER CONFERENCE (ISLC 2014). 2014. 147-148
Fumihiko Tanoue, Hiroharu Sugawara, Kouichi Akahane, Naokatsu Yamamoto. High net modal gain (> 100 cm(-1)) in 19-stacked InGaAs quantum dot laser diodes at 1000 nm wavelength band. OPTICS LETTERS. 2013. 38. 13. 2333-2335

MISC (33件)：

田之上文彦, 菅原宏治, 赤羽浩一, 山本直克. 高速MBE成長法による19層積層InGaAs/GaAs量子ドットレーザの利得評価 (レーザ・量子エレクトロニクス). 電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報. 2012. 112. 356. 1-4
田之上文彦, 菅原宏治, 赤羽浩一, 山本直克. 高速MBE成長法による1-μm帯高積層InGaAs/GaAs量子ドットレーザの作製. 電子情報通信学会技術研究報告. OPE, 光エレクトロニクス. 2011. 111. 185. 113-116
中村拓也, 赤羽浩一, 山本直克, 川西哲也, 菅原宏治. 波長1μm高速成長InGaAs量子ドットレーザの電流低閾値化. 電子情報通信学会技術研究報告. PN, フォトニックネットワーク. 2010. 109. 401. 71-74
Sugawara Hiroharu, Nakamura Shingo, Masayuki Oouchi, Yui Kumura, Takenobu Shishido, Takatoshi Igarashi, Masato Kishi, Masahiro Tsuchiya, Masahiro Tsuchiya. Low temperature formation of ß-FeSi2 polycrystalline microstructure by pulsed laser deposition and thermal annealing. IEICE Electronics Express. 2004. 1. 9. 253-257
Hiroharu Sugawara, Tetsuya Hasegawa, Koichi Kitazawa. Chapter 204 Characterization of cuprate superconductors using tunneling spectra and scanning tunneling microscopy. Handbook on the Physics and Chemistry of Rare Earths. 2001. 31. 563-607

特許 (2件)：

講演・口頭発表等 (7件)：

Preliminary study for deposition of Mg2Si thin films with high-power impulse magnetron sputtering
(The 6th Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials, 2022 (APAC-Silicide 2022))
Effect of spark plasma sintering temperature on microstructures across the interfaces between thermoelectric-material Mg2Si and Ni electrode
下水処理過程で発生する低温余剰廃熱からの熱発電試験
(日本熱電学会学術講演会)
"Quasi-Particle First Principle Calculation of Energy Bands and Carrier Densities in Distorted Mg2Si"
(, International Conference on Thermoelectrics (ICT 2017) 2017)
"Evaluation of a Bandgap of Cubic Mg2Si by First Principle Calculation with PMT-QSGW",
(Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials Science and Technology (APAC-SILICIDE201 2016)

学歴 (2件)：

学位 (1件)：

経歴 (19件)：

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受賞 (1件)：

所属学会 (3件)：

Institute of Electronic and Electronics Engineers(米国電気電子学会) , American Physical Society(米国物理学会) , 応用物理学会

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