研究者
J-GLOBAL ID:200901044560247333
更新日: 2022年09月13日
中村 初夫
ナカムラ ハツオ | Nakamura Hatsuo
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所属機関・部署:
大阪電気通信大学 工学部 応用化学科 電子材料工学科
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職名:
教授
研究分野 (4件):
薄膜、表面界面物性
, 結晶工学
, 応用物性
, 半導体、光物性、原子物理
研究キーワード (4件):
半導体
, X線スペクトル
, Semiconductor
, X-ray spectra
競争的資金等の研究課題 (2件):
1986 - シリコン基板上の金属・シリサイドの軟X線分光
1986 - Soft X-ray spectroscopy for metal and/or silicides on Si substrates
MISC (83件):
Nondestructive Depth Analysis of Thin Films on Silicon Substrates using Soft X-Ray Emission Spectroscopy. Osaka Electro-Communication University. 2000. 35. 45
KAWAGUCHI M, WAKUKAWA Y, NAKAMURA H. Soft X-ray Emission Band Spectra of BC6N and Its Electronic State. J. Phys. Chem. B. 2000. 104. 25. 5869-5870
薄膜/シリコン基板の軟X線発光分光法による非破壊深さ分析. 大阪電気通信大学研究論集. 2000. 35. 45
Nondestructive Depth Analysis of Thin Films on Silicon Substrates using Soft X-Ray Emission Spectroscopy. Osaka Electro-Communication University. 2000. 35. 45
Soft X-ray Emission Band Spectra of BC
6
N and Its Electronic State. J. Phys. Chem. B. 2000. 104. 25. 5869-5870
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学歴 (2件):
- 1967 大阪市立大学 工学部 応用物理
- 1967 大阪市立大学
学位 (1件):
工学博士 (大阪府立大学)
経歴 (6件):
1990 - - 大阪電気通信大学工学部 教授
1990 - - Professor of Osaka-Electro-Communication
1985 - 1986 アメリカ合衆国 Stanford大学 客員研究員
1985 - 1986 Visiting Researcher, Electrical Engineering,
University
University of Stanford
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所属学会 (3件):
日本表面科学会
, 応用物理学会
, 日本物理学会
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