研究者
J-GLOBAL ID：200901045364403587
更新日: 2020年04月29日
章 国強
ショウ コクキョウ | Zhang Guoqiang
所属機関・部署：
旧所属 静岡大学 大学院電子科学研究科 電子材料科学
旧所属 静岡大学 大学院電子科学研究科 電子材料科学 について
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職名：
大学院生
研究分野 (2件)：
結晶工学
, 応用物性
研究キーワード (6件)：
液相生長
, 化合物半導体
, III-V
, LPE
, Semiconductor
, III-V Compound
競争的資金等の研究課題 (2件)：
2001 - 2004 InGaAs,InGaSb growth on III-V putterned substrates
2001 - 2004 InGaAs and InGaSb growth on III-V patterned substrates by LPE
MISC (2件)：
G Zhang, K Balakrishnan, T Koyama, M Kumagawa, Y Hayakawa. Defect filtration of hollow pyramidal structured GaSb epilayers grown on GaSb patterned substrates by liquid phase epitaxy. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2003. 256. 3-4. 243-247
G Zhang, K Balakrishnan, T Koyama, M Kumagawa, Y Hayakawa. Defect filtration of hollow pyramidal structured GaSb epilayers grown on GaSb patterned substrates by liquid phase epitaxy. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2003. 256. 3-4. 243-247
学歴 (4件)：
- 2001 Zheziang Univ Materials phyzics and chemistry Semicondutor Material
- 2000 浙江大学 材料物理学科 半導体材料
- 1997 浙江大学 材料科学与工程 電子材料科学
- 1997 Zheziang Univ Material science and Engineering Electronic material science
学位 (1件)：
修士 (浙江大学)
所属学会 (2件)：
日本応用物理学会
, Japanese Association of Applied Phyzics
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