大橋直樹

オオハシナオキ | Ohashi Naoki

所属機関・部署：
職名：拠点長

研究分野 (1件)：無機材料、物性

研究キーワード (7件)：固体化学 , 固体物性 , 結晶工学 , 界面 , 欠陥 , 半導体 , セラミックス

競争的資金等の研究課題 (22件)：

2021 - 2024 結晶構造の対称性に着目した有機ー無機ハイブリッドハライド結晶の合成と機能探索
2013 - 2015 p/n制御が可能な酸化物系I-III-VI2化合物半導体の物質・機能開拓
2011 - 2012 光励起キャリアの電荷分離と結晶内分極電場の相互作用に関する実証的検討
2011 - 2012 酸化亜鉛半導体に可視光域での活性を賦与する新たな混晶系の創製とその原理
2010 - 2012 透明酸化亜鉛薄膜の高周波物性評価とその高周波デバイスへの応用

2007 - 2011 機能附活元素の状態制御による高機能材料の創製

2008 - 2010 酸化亜鉛系混晶自立ウエファーの素子応用に向けた基礎研究

2007 - 2009 同位元素分布を変調した化合物半導体超格子構造の創製とその物性

2008 - 2008 特異的準安定ナノ構造セラミックスの電子輸送特性に関する研究

2005 - 2006 反強磁性-強磁性積層ナノグラニュラー磁性体薄膜の合成と評価

2005 - 2005 酸化亜鉛基光・電子素子を目指した、欠陥と不純物の化学状態解明とその制御

2002 - 2003 リソグラフィーによる微細加工を利用した焼結体構造・機能模倣素子の試作

2002 - 2003 パルス変調ICPと固体の化学的相互作用を活用したセラミックス材料の高機能化

1999 - 2001 ペロブスカイト構造型単結晶における巨大圧電効果とドメインダイナミクス

1998 - 1999 ペロブルカイト型強誘電体の90°ドメインスイッチングに関する結晶化学的研究

1996 - 1997 強誘電体/半導体ハイブリッド格子界面の作成と評価

1996 - 1996 ドナー濃度を制御した単結晶を用いた界面準位の結晶方位依存性の評価

1994 - 1996 ダイヤモンドおよび立方晶BNの合成および成長機構に関する研究

1994 - 1996 ペロブスカイト構造を基本とする酸化物人工超格子の原子層エピタキシ-と物性評価

1993 - 1995 圧力効果を利用したコンポジット材料および接合材料の開発

酸化物ワイドギャプ半導体

Wide-gap Oxide Semiconductors

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論文 (332件)：

Hiroshi Mizoguchi, Yuta Osawa, Masato Sasase, Naoki Ohashi, Masaaki Kitano, Hideo Hosono. Ammonia Cracking Catalyzed by Ni Nanoparticles Confined in the Framework of CeO₂ Support. The Journal of Physical Chemistry Letters. 2023. 9516-9520
Hirotaka Okabe, Masatoshi Hiraishi, Akihiro Koda, Yoshitaka Matsushita, Takeo Ohsawa, Naoki Ohashi, Ryosuke Kadono. Local Magnetism in the Spin-singlet State of VO₂. Proceedings of the 29th International Conference on Low Temperature Physics (LT29). 2023
Masaru Nakamura, Encarnación G. Víllora, Takeo Ohsawa, Kiyoshi Shimamura, Naoki Ohashi. Electronic transport properties of GeS single crystals grown by vapor transport from molten GeS source. Journal of Crystal Growth. 2023
M. Hiraishi, H. Okabe, A. Koda, Ryosuke Kadono, Takeo Ohsawa, Naoki Ohashi, Keisuke Ide, T. Kamiya, H. Hosono. Local electronic structure of dilute hydrogen in β-Ga2O3 probed by muons. Physical Review B. 2023. 107. 4
Clément Lebastard, Maxence Wilmet, Stéphane Cordier, Clothilde Comby-Zerbino, Luke MacAleese, Philippe Dugourd, Naoki Ohashi, Tetsuo Uchikoshi, Fabien Grasset. High performance {Nb5TaX12}@PVP (X = Cl, Br) cluster-based nanocomposites coatings for solar glazing applications. Science and Technology of Advanced Materials. 2022

MISC (50件)：

小嶋健児, 平石雅俊, 岡部博孝, 幸田章宏, 門野良典, 大橋直樹. ワイドギャップ半導体ZnOにおけるミュオン測定で明らかにする不純物水素サイトと電子状態. 日本物理学会講演概要集. 2017. 72. 2. 2342-2342
平石雅俊, 平田和人, 大谷茂樹, 大橋直樹, 小嶋健児, 岡部博孝, 竹下聡史, 幸田章宏, 門野良典, Zhang Xiao, et al. ミュオンナイトシフトによる2次元エレクトライドY2Cの研究. 日本物理学会講演概要集. 2017. 72. 2. 1333-1333
鈴木拓, 安達裕, 齋藤紀子, 橋口未奈子, 坂口勲, 大橋直樹, 菱田俊一. ZnO単結晶薄膜にドープされたWの表面偏析. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2014. 61st. ROMBUNNO.17A-E10-7
Ogino, T., Williams, J.R., Watanabe, K., Sakaguchi, I., Hishita, S., Haneda, H., Adachi, Y., Ohgaki, T., Ohashi, N. Effect of crystalline polarity on microstructure and optoelectronic properties of gallium-doped zinc oxide films deposited onto glass substrates. Thin Solid Films. 2014. 552. 56-61
Yutaka Adachi, Noriko Saito, Minako Hashiguchi, Isao Sakaguchi, Taku Suzuki, Naoki Ohashi, Shunichi Hishita. Electrical and optical properties of W-doped ZnO films grown on (112 ̄0) sapphire substrates using pulsed laser deposition. Journal of the Ceramic Society of Japan. 2014. 122. 1430. 908-913

学歴 (2件)：

1988 - 1992 東京工業大学大学院理工学研究科無機材料工学専攻
1984 - 1988 東京工業大学工学部無機材料工学科

学位 (1件)：

博士(工学)

経歴 (9件)：

2007/04 - 現在国立研究開発法人物質・材料研究機構主席研究員
2003/04 - 2007/03 独立行政法人物質・材料研究機構主幹研究員
2001/04 - 2003/03 独立行政法人物質・材料研究機構主任研究員
2001/01 - 2001/03 文部科学省無機材質研究所主任研究官
2000/07 - 2000/12 科学技術庁無機材質研究所主任研究官

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受賞 (11件)：

2019/01 - フランス共和国国家功労勲章シュバリエ
2018/04 - フランスレンヌ第一大学名誉博士号
2017/06 - 日本セラミックス協会日本セラミックス協会学術論文誌優秀論文賞 Influence of growth conditions on the optical, electrical resistivity and piezoelectric properties of Ca3TaGa3Si2O14 single crystals
2015/06 - Ceramics Society of Japan Outstanding Paper Award, Journal of Ceramics Society of Japan Effects of dielectric film surface on oxygen diffusion
2015/06 - Ceramics Society of Japan Outstanding Paper Award, Journal of Ceramics Society of Japan Influence of substrate nitridation on GaN and InN growth by plasma-assisted molecular-beam epitaxy

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所属学会 (10件)：

米国セラミックス学会 , 日本セラミックス協会 , 日本MRS , 応用物理学会 , DV-Xalpha研究協会 , The Society for Discrete Variational Xalpha , The Japan Society of Applied Physics , The American Ceramic Society , Materials Research Society of Japan , Ceramic Society of Japan

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