研究者

J-GLOBAL ID：200901046462290037 更新日: 2020年05月16日

金勲

キムフン | Kim Hoon

所属機関・部署：
職名： Ph.D candidate

研究キーワード (4件)： CVD , Ru , 信頼性 , 銅配線

競争的資金等の研究課題 (1件)：

Process development of highly reliable Cu interconnect by material design and oxidation / reduction chemistry of Cu-CVD

MISC (6件)：

H Kim, Y Kojima, H Sato, N Yoshii, S Hosaka, Y Shimogaki. Influence of crystal orientation of Ru under-layer on initial growth of copper chemical vapor deposition. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS. 2006. 45. 8-11. L233-L235
Material consideration on Ta, Mo, Ru and Os as glue layer for ULSI Cu interconnection. Jpn. J. Appl. Phys. 2006
Effect of Ru crystal orientation on the adhesion characteristics of Cu for ULSI interconnects. Appl. Surf. Sci. 2006
H Kim, T Koseki, T Ohba, T Ohta, Y Kojima, H Sato, Y Shimogaki. Process design of Cu(Sn) alloy deposition for highly reliable ultra large-scale integration interconnects. THIN SOLID FILMS. 2005. 491. 1-2. 221-227
Effects of Ag Addition on the Resistivity, Texture and Surface Morphology of Cu Metallization. Jpn. J. Appl. Phys. 2005. 44, L1278

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