研究者
J-GLOBAL ID:200901047142490654   更新日: 2024年04月18日

諏訪 智之

スワ トモユキ | Suwa Tomoyuki
所属機関・部署:
職名: 准教授
ホームページURL (2件): http://db.tohoku.ac.jp/whois/detail/a62a05f94df50aa2f8207b4ab325399e.htmlhttp://db.tohoku.ac.jp/whois/e_detail/a62a05f94df50aa2f8207b4ab325399e.html
研究分野 (3件): 電気電子材料工学 ,  薄膜、表面界面物性 ,  電子デバイス、電子機器
研究キーワード (1件): 電子デバイス、半導体、表面界面物性、計測技術
競争的資金等の研究課題 (4件):
  • 2022 - 2025 ポリイミド基板上に集積した多数TFTの自己整合的な特性ばらつき均一化技術の確立
  • 2010 - 2015 原子オーダ平坦な界面を有する3次元立体構造トランジスタの製造プロセスに関する研究
  • 2007 - 2009 超高感度・高分解能界面分析によるゲート絶縁膜/シリコン界面構造の決定
  • 2006 - 2007 高品質・高信頼性絶縁膜の形成プロセスに関する研究
論文 (83件):
  • Tetsuya Goto, Tomoyuki Suwa, Keita Katayama, Shu Nishida, Hiroshi Ikenoue, Shigetoshi Sugawa. Threshold voltage uniformity improvement by introducing charge injection tuning for low-temperature poly-Si thin film transistors with metal/oxide/nitride/oxide/silicon structure. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 2. 02SP51-02SP51
  • Y. Sakai, Y. Shiba, T. Inada, T. Goto, T. Suwa, T. Oikawa, A. Hamaya, A. Sutoh, T. Morimoto, Y. Shirai, et al. Visualization and Analysis of Temporal and Steady-State Gas Concentration in Process Chamber Using 70-dB SNR 1,000 fps Absorption Imaging System. IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing. 2023. 1-1
  • Takezo Mawaki, Akinobu Teramoto, Katsutoshi Ishii, Yoshinobu Shiba, Rihito Kuroda, Tomoyuki Suwa, Shuji Azumo, Akira Shimizu, Kota Umezawa, Yasuyuki Shirai, et al. Adsorption and surface reaction of isopropyl alcohol on SiO2 surfaces. JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A. 2022. 40. 5
  • Tetsu Oikawa, Rihito Kuroda, Keigo Takahashi, Yoshinobu Shiba, Yasuyuki Fujihara, Hiroya Shike, Maasa Murata, Chia-Chi Kuo, Yhang Ricardo Sipauba Carvalho da Silva, Tetsuya Goto, et al. A 70-dB SNR High-Speed Global Shutter CMOS Image Sensor for in Situ Fluid Concentration Distribution Measurements. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2022. 69. 6. 2965-2972
  • Koga Saito, Hayato Suzuki, Hyeonwoo Park, Rihito Kuroda, Akinobu Teramoto, Tomoyuki Suwa, Shigetoshi Sugawa. A high-precision current measurement platform applied for statistical measurement of discharge current transient spectroscopy of traps in SiN dielectrics. Japanese Journal of Applied Physics. 2021. 60. 8. 086501-086501
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MISC (99件):
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特許 (13件):
講演・口頭発表等 (2件):
  • [1] 成膜工程と連動した基板表面処理と表面イニシャライズ
    (CVD反応分科会第34回シンポジウム(公益社団法人化学工学会) 2021)
  • [2] 微細化に依らないMOSトランジスタの性能向上へのアプローチ
    (SPring-8利用推進協議会 次世代先端デバイス研究会(第3回) 2016)
学歴 (4件):
  • 2003 - 2006 東北大学大学院 工学研究科博士課程後期3年の課程(電子工学専攻)
  • 2001 - 2003 東北大学大学院 工学研究科博士課程前期2年の課程(電子工学専攻)
  • 1997 - 2001 東北大学 工学部電子工学科
  • - 1996 1996年 3月 栃木県立栃木高等学校
学位 (1件):
  • 博士(工学) (東北大学)
経歴 (3件):
  • 2018/02 - 現在 東北大学 未来科学技術共同研究センター 准教授
  • 2007/04 - 2018/01 東北大学 未来科学技術共同研究センター 助教
  • 2006/04 - 2007/03 東北大学 未来科学技術共同研究センター 助手
委員歴 (3件):
  • 2022/06 - 現在 電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会 幹事
  • 2016/01 - 現在 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会 電子デバイス界面テクノロジー研究会 実行・プログラム委員
  • 2020/06 - 2022/05 電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会 幹事補佐
受賞 (2件):
  • 2014/09 - 応用物理学会 第36回応用物理学会論文賞「応用物理学会優秀論文賞」
  • 2008/10 - 日本真空協会 第33回熊谷記念真空科学論文賞 ラジカル窒化シリコン酸窒化膜における窒素プロファイルのX線光電子分光分析による評価
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