研究者
J-GLOBAL ID：200901047189985686   更新日: 2024年01月31日

永山 勝久

ナガヤマ カツヒサ | Nagayama Katsuhisa
所属機関・部署：
芝浦工業大学 工学部 材料工学科 工学部 材料工学科

芝浦工業大学 工学部 材料工学科 工学部 材料工学科 について


職名： 教授
ホームページURL (1件)： http://www.shibaura-it.ac.jp/
研究分野 (1件)： 構造材料、機能材料
競争的資金等の研究課題 (19件)：
  • 2017 - 2020 無容器プロセスを用いた単結晶半導体と窒化物及び強磁性シリサイド新デバイス創製
  • 2012 - 2015 ドロップチューブを用いた次世代高効率球状太陽電池SiとIII-V族半導体デバイス創製
  • 2004 - 2007 ガスジェット浮遊型電磁浮遊炉を用いた半導体Siの結晶成長カイネティクス
  • 2004 - 2007 Crystal growth of semiconductor Si by using gas jet type elictromagnetic levitation furnace.
  • 2003 - 2006 ガスジェット型電磁浮遊炉を用いた球状単結晶Si生成に対する無容器プロセシング
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論文 (11件)：
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MISC (154件)：
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特許 (2件)：
書籍 (2件)：
  • ADVANCED MATERIALS ’93 I/B:MAGRETIC,FULLUERENCE,DIELECTRIC,FWRROELECTRIC,DIAMOND AND RELATED MATERIALS.(共著)
    1994
  • ADVANCED MATERIALS ’93 I/B:MAGRETIC,FULLUERENCE,DIELECTRIC,FWRROELECTRIC,DIAMOND AND RELATED MATERIALS.
    1994
Works (2件)：
  • 無容器プロセスによる過冷凝固、結晶成長と熱物性値に関する研究(-電磁浮遊法による強磁性材料の無容器凝固プロセスの検討-)
    2001 - 2004
  • Nd-Fe-B系異方性高性能磁石材料の開発(-無容器プロセスを用いたNd-Fe-B系異方性磁石材料の過冷凝固過程と高機能化の検討-)
    2001 - 2002
学歴 (4件)：
  • - 1984 芝浦工業大学 工学研究科 金属工学専攻
  • - 1984 芝浦工業大学
  • - 1982 芝浦工業大学 金属工学科
  • - 1982 芝浦工業大学
学位 (2件)：
  • 工学博士 (東京大学)
  • 工学修士 (芝浦工業大学)
受賞 (1件)：
  • 1991 - 日本金属学会論文賞受賞
所属学会 (4件)：
軽金属学会 ,  日本金属学会 ,  日本応用磁気学会 ,  日本マイクログラビティ応用学会
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