長谷川繁彦

ハセガワシゲヒコ | Hasegawa Shigehiko

所属機関・部署：
職名：准教授

研究分野 (4件)：電子デバイス、電子機器 , 薄膜、表面界面物性 , 結晶工学 , 応用物性

研究キーワード (4件)：応用物性・結晶工学 , 表面界面物性 , Applied Physics of Property and Crystallography , Surface Physics of Condensed Matter

競争的資金等の研究課題 (35件)：

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論文 (78件)：

Takashi Hamano, Takayuki Matsuda, Yuya Asamoto, Masao Noma, Shigehiko Hasegawa, Michiru Yamashita, Keiichiro Urabe, Koji Eriguchi. Spectroscopic ellipsometry characterization of boron nitride films synthesized by a reactive plasma-assisted coating method. Applied Physics Letters. 2022. 120. 3. 031904-031904
Tomoya Higuchi, Masao Noma, Michiru Yamashita, Keiichiro Urabe, Shigehiko Hasegawa, Koji Eriguchi. Characterization of surface modification mechanisms for boron nitride films under plasma exposure. SURFACE AND COATINGS TECHNOLOGY. 2019. 377
M. Maekawa, S. Sakai, S. Hagiwara, A. Miyashita, K. Wada, A. Kawasuso, A. Yabuuchi, S. Hasegawa. Magnetic Doppler broadening measurement on Gadolinium-doped GaN. AIP Conf. Proc. 2019. 2182. 050007
Masamichi Sakai, Hiraku Takao, Tomoyoshi Matsunaga, Makoto Nishimagi, Keitaro Iizasa, Takahito Sakuraba, Koji Higuchi, Akira Kitajima, Shigehiko Hasegawa, Osamu Nakamura, et al. Resonant Hall effect under generation of a self-sustaining mode of spin current in nonmagnetic bipolar conductors with identical characters between holes and electrons. 2018
K. Yabuki, H. Hirama, N. Aoki, M. Sakai, Y. Saito, K. Higuchi, A. Kitajima, S. Hasegawa, O. Nakamura. Fabrication of YH3 thin film using Pd/Ni co-capping layer: Ni thickness effect. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2017. 468. 714-717

MISC (349件)：

占部継一郎, 住平透, 野間正男, 山下満, 長谷川繁彦, 江利口浩二. 反応性プラズマ支援成膜法により堆積した窒化ホウ素薄膜の機械的特性と耐プラズマ性に関する研究. 日本航空宇宙学会中部・関西支部合同秋期大会講演論文集(CD-ROM). 2019. 56th
桜庭琢士, 北島彰, 大島明博, 長谷川繁彦, 中村修, 春山翔太, 工藤駆, 酒井政道, 本多善太郎, 切金大介, et al. 7aPS-111 Gd_xY_<1-x>H_2 (x=0.4)の磁気伝導における温度特性異常(7aPS 領域3ポスターセッション(遍歴・化合物・酸化物・f電子系磁性,スピングラス,量子スピン,フラストレーション,磁気共鳴),領域3(磁性)). 日本物理学会講演概要集. 2014. 69. 0. 257-257
M. Ishimaru, S. Hasegawa, H. Asahi, K. Sato, T. J. Konno. Structure analysis of composition modulation in epitaxially-grown III-V semiconductor alloys. Japanese Journal of Applied Physics. 2013. 52. 11,Issue 1. 1-110120
M. Ishimaru, K. Higashi, S. Hasegawa, H. Asahi, K. Sato, T. J. Konno. Strong atomic ordering in Gd-doped GaN. Applied Physics Letters. 2012. 101. 10
酒井政道, 本多善太郎, 長谷川繁彦, 北島彰, 大島明博. 26pSA-8 スピン軌道相互作用とローレンツ力との協同効果による磁気およびホール抵抗(26pSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在)). 日本物理学会講演概要集. 2012. 67. 0. 750-750

特許 (3件)：

書籍 (10件)：

Growth temperature dependence of InAs islands grown on GaAs(001)substrates
13<sup>th</sup> Int. Conf. on Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings 2001
Characterization of a 0.1μm MOSFET using cross-sectional scanning tunneling microscopy
59th Device Research Conference, Conference Digest 2001
STM study of annealing effects on Si nano ┣DBpn(/)-┫DB junctions fabricated by ion implantation
2000 MRS Fall Meeting Abstracts 2000
Scanning tunneling microscopy study of InAs islanding and dissolving on GaAs(001)surfaces
2000 MRS Fall Meeting Abstracts 2000
Formation of InAs and InGaAs quantum wires and dots on vicinal GaAs(110)substrates with giant steps by MBE(共著)
Ext. Abst. of Int. Conf. on Superlattices, Microstructures and Microdevices 1997

Works (18件)：

学位 (1件)：

受賞 (4件)：

所属学会 (4件)：

米国物理学会 , 日本真空協会 , 日本物理学会 , 応用物理学会

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長谷川 繁彦