研究者
J-GLOBAL ID:200901047813437788
更新日: 2020年08月29日
稲田 太郎
イナダ タロウ | Inada Taroh
研究分野 (1件):
電気電子材料工学
研究キーワード (4件):
イオンビーム工学
, 半導体ナノ電子工学
, Ion Beam Enginnering
, Semiconductor Nano-electronics
MISC (126件):
Tomohisa Shiino, Tomohiro Saitoh, Tohru Nakamura, Taroh Inada. Ohmic contacts on n-type layers formed in GaN/AlGaN/GaN by dual-energy Si ion implantation. NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS. 2009. 267. 8-9. 1571-1574
Tomohisa Shiino, Tomohiro Saitoh, Tohru Nakamura, Taroh Inada. Ohmic contacts on n-type layers formed in GaN/AlGaN/GaN by dual-energy Si ion implantation. NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS. 2009. 267. 8-9. 1571-1574
N. Yanagida, K. Ishibashi, S. Uchiumi, T. Inada. Characterization of n-type layers formed in (11-20)-4H-SiC by phosphorus ion implantation. NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS. 2007. 257. 203-207
D. Ozaki, J. Ebihara, Y. Ohshima, R. Takeuchi, T. Inada. Dual-energy Si ion implantation in epitaxial GaN layers on AlN/Al2O3. NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS. 2007. 257. 320-323
N. Yanagida, K. Ishibashi, S. Uchiumi, T. Inada. Characterization of n-type layers formed in (11-20)-4H-SiC by phosphorus ion implantation. NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS. 2007. 257. 203-207
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書籍 (3件):
極微構造エレクトロニクス
(株)オーム社 1986
Layered Structures and Interface Kinetics.
KTK Scientific Publishers, Tokyo 1984
超LSIプロセスデータハンドブック
(株)サイエンスフォーラム 1982
学位 (1件):
工学博士 (早稲田大学)
経歴 (1件):
法政大学 工学部(2008年度改組) 情報電気電子工学科 工学部 情報電気電子工学科 教授
受賞 (2件):
1976 - 「半導体へのイオン注入」に関する研究業績に対しBohmische Physical Society(米国)から科学員の称号を受く
1972 - 「半導体へのイオン注入」に関する研究に松永記念科学振興財団より松永研究助成金を受く
所属学会 (6件):
米国 Bohmische Physical Society科学会員
, 電子通信学会会員
, 応用物理学会薄膜・表面物理分科会会員
, 応用物理学会会員
, 応用物理学会シリコンテクノジー分科会会員
, アメリカ電気化学学会会員
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