研究者
J-GLOBAL ID:200901048062200007   更新日: 2020年04月28日

工藤 嗣友

クドウ ツグトモ | Kudo Tsugutomo
所属機関・部署:
職名: 大学院学生(博士課程)
研究分野 (2件): 電気電子材料工学 ,  電力工学
研究キーワード (6件): 化合物半導体(SiGe) ,  パワー半導体(パワーデバイス) ,  半導体プロセス ,  SiGe ,  Power Device ,  Semiconductor process
競争的資金等の研究課題 (4件):
  • 2002 - Si/SiGe ヘテロ接合コレクターによるトレンチIGBTの低損失化に関する研究
  • 2002 - Study on Si/SiGe Hetenojunction Collector for Low Loss Operation of Trench IGBT.
  • 2001 - 高耐圧IGBTに関する研究
  • 2001 - Study on high voltage Insulated Gate Bipolar Transistor
MISC (6件):
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学位 (1件):
  • 修士(工学) (東北学院大学)
所属学会 (2件):
電気学会 ,  The Institute of Electrical Engineers of Japan
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