研究者
J-GLOBAL ID:200901048062200007
更新日: 2020年04月28日
工藤 嗣友
クドウ ツグトモ | Kudo Tsugutomo
所属機関・部署:
旧所属 九州工業大学 大学院情報工学研究科(博士課程) 情報システム専攻 マイクロ化総合技術センター
旧所属 九州工業大学 大学院情報工学研究科(博士課程) 情報システム専攻 マイクロ化総合技術センター について
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職名:
大学院学生(博士課程)
研究分野 (2件):
電気電子材料工学
, 電力工学
研究キーワード (6件):
化合物半導体(SiGe)
, パワー半導体(パワーデバイス)
, 半導体プロセス
, SiGe
, Power Device
, Semiconductor process
競争的資金等の研究課題 (4件):
2002 - Si/SiGe ヘテロ接合コレクターによるトレンチIGBTの低損失化に関する研究
2002 - Study on Si/SiGe Hetenojunction Collector for Low Loss Operation of Trench IGBT.
2001 - 高耐圧IGBTに関する研究
2001 - Study on high voltage Insulated Gate Bipolar Transistor
MISC (6件):
T Kudoh, T Asano. Si/SiGe heterojunction collector for low loss operation of Trench IGBT. APPLIED SURFACE SCIENCE. 2004. 224. 1-4. 399-404
T Kudoh, T Asano. Si/SiGe heterojunction collector for low loss operation of Trench IGBT. APPLIED SURFACE SCIENCE. 2004. 224. 1-4. 399-404
Si/SiGe ヘテロ接合コレクターによるトレンチIGBTの低損失化. 電気学会. 2002. EDD-02-100, SPC-02-130
Si/SiGe Hetenojunction Collector for Low Loss Operation of Trench IGBT. The Institute of Electrical Engineers of Japan. 2002. EDD-02-100, SPC-02-130
メタル・ソースMOS制御デバイスに関する研究. 東北学院大学研究論文集. 1998
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学位 (1件):
修士(工学) (東北学院大学)
所属学会 (2件):
電気学会
, The Institute of Electrical Engineers of Japan
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