研究者
J-GLOBAL ID:200901048573459408   更新日: 2024年01月30日

木下 恭一

キノシタ キョウイチ | Kinoshita Kyoichi
所属機関・部署:
職名: 特定課題研究員
研究分野 (2件): 結晶工学 ,  応用物性
研究キーワード (5件): 微小重力環境利用 ,  混晶 ,  半導体 ,  成長メカニズム ,  結晶成長
競争的資金等の研究課題 (4件):
  • 2010 - 2012 InGaSbおよびInGaAsの溶液成長における結晶面方位依存性の解明
  • 2009 - 2011 極限CMOSの研究開発
  • 2003 - 2004 飽和溶融帯移動法による均一組成SiGeバルク結晶成長
  • 1997 - 半導体結晶成長メカニズムの研究
論文 (2件):
  • Satoshi Baba, Yoshiaki Nakamura, Masahiro Mikami, Eita Shoji, Masaki Kubo, Takao Tsukada, Kyoichi Kinoshita, Yasutomo Arai, Yuko Inatomi. Numerical investigation of growth interface shape and compositional distributions in SiGe crystals grown by the TLZ method in the International Space Station. Journal of Crystal Growth. 2021
  • Tatsuro Maeda, Hiroyuki Hattori, Wen Hsin Chang, Yasutomo Arai, Kyoichi Kinoshita. Hole Hall mobility of SiGe alloys grown by the traveling liquidus-zone method. Applied Physics Letters. 2015. 107. 15. 152104-152104
学位 (1件):
  • 理学博士 (早稲田大学)
受賞 (2件):
  • 2018/10 - 日本マイクログラビティ応用学会 論文賞
  • 2010/08 - 日本結晶成長学会 第27回論文賞
※ J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。 登録・更新については、こちらをご覧ください。

前のページに戻る