研究者
J-GLOBAL ID:200901049816323956   更新日: 2024年03月20日

三谷 武志

Mitani Takeshi | Mitani Takeshi
所属機関・部署:
職名: 研究職
ホームページURL (1件): http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=T11375738
研究分野 (4件): 無機材料、物性 ,  電子デバイス、電子機器 ,  結晶工学 ,  応用物性
研究キーワード (6件): フォトルミネッセンス ,  カソードルミネッセンス ,  ラマン散乱 ,  結晶成長 ,  窒化物半導体 ,  炭化珪素
競争的資金等の研究課題 (2件):
  • 2019 - 2023 結晶成長界面の制御のキーファクター=ステップ物性:その計測と熱力学モデル構築
  • 2004 - SiC結晶の液相成長及び物性評価
論文 (62件):
  • Takeshi Mitani, Sakiko Kawanishi, Kazuma Eto, Tomohisa Kato, Didier Chaussende, Takeshi Yoshikawa. Suppression of SiC Inclusions in 4H-SiC Crystals Grown from Si-Cr-C-Based Solution Saturated with SiC. Crystal Growth & Design. 2024
  • Kawanishi, S., Mitani, T., Takakura, M., Yoshikawa, T., Shibata, H. Quantification of nitrogen in heavily doped silicon carbide by soft X-ray emission spectroscopy. Journal of Crystal Growth. 2023. 619
  • Mitani, T., Eto, K., Komatsu, N., Hayashi, Y., Suo, H., Kato, T. Reduction of threading screw dislocations in 4H-SiC crystals by a hybrid method with solution growth and physical vapor transport growth. Journal of Crystal Growth. 2021. 568-569
  • Takeshi Mitani, Kazuma Eto, Kenji Momose, Tomohisa Kato. Massive reduction of threading screw dislocations in 4H-SiC crystals grown by a hybrid method combined with solution growth and physical vapor transport growth on higher off-angle substrates. Applied Physics Express. 2021. 14. 8
  • Matsuura, H., Takeshita, A., Hidaka, A., Ji, S., Eto, K., Mitani, T., Kojima, K., Kato, T., Yoshida, S., Okumura, H. Erratum: Sign of Hall coefficient in nearest-neighbor hopping conduction in heavily Al-doped p-type 4H-SiC (Japanese Journal of Applied Physics (2020) 59 (051004) DOI: 10.35848/1347-4065/ab8701). Japanese Journal of Applied Physics. 2020. 59. 8
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MISC (2件):
学位 (1件):
  • 博士(工学) (筑波大学)
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