研究者
J-GLOBAL ID:200901049816323956
更新日: 2024年03月20日
三谷 武志
Mitani Takeshi | Mitani Takeshi
所属機関・部署:
職名:
研究職
ホームページURL (1件):
http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=T11375738
研究分野 (4件):
無機材料、物性
, 電子デバイス、電子機器
, 結晶工学
, 応用物性
研究キーワード (6件):
フォトルミネッセンス
, カソードルミネッセンス
, ラマン散乱
, 結晶成長
, 窒化物半導体
, 炭化珪素
競争的資金等の研究課題 (2件):
- 2019 - 2023 結晶成長界面の制御のキーファクター=ステップ物性:その計測と熱力学モデル構築
- 2004 - SiC結晶の液相成長及び物性評価
論文 (62件):
-
Takeshi Mitani, Sakiko Kawanishi, Kazuma Eto, Tomohisa Kato, Didier Chaussende, Takeshi Yoshikawa. Suppression of SiC Inclusions in 4H-SiC Crystals Grown from Si-Cr-C-Based Solution Saturated with SiC. Crystal Growth & Design. 2024
-
Kawanishi, S., Mitani, T., Takakura, M., Yoshikawa, T., Shibata, H. Quantification of nitrogen in heavily doped silicon carbide by soft X-ray emission spectroscopy. Journal of Crystal Growth. 2023. 619
-
Mitani, T., Eto, K., Komatsu, N., Hayashi, Y., Suo, H., Kato, T. Reduction of threading screw dislocations in 4H-SiC crystals by a hybrid method with solution growth and physical vapor transport growth. Journal of Crystal Growth. 2021. 568-569
-
Takeshi Mitani, Kazuma Eto, Kenji Momose, Tomohisa Kato. Massive reduction of threading screw dislocations in 4H-SiC crystals grown by a hybrid method combined with solution growth and physical vapor transport growth on higher off-angle substrates. Applied Physics Express. 2021. 14. 8
-
Matsuura, H., Takeshita, A., Hidaka, A., Ji, S., Eto, K., Mitani, T., Kojima, K., Kato, T., Yoshida, S., Okumura, H. Erratum: Sign of Hall coefficient in nearest-neighbor hopping conduction in heavily Al-doped p-type 4H-SiC (Japanese Journal of Applied Physics (2020) 59 (051004) DOI: 10.35848/1347-4065/ab8701). Japanese Journal of Applied Physics. 2020. 59. 8
もっと見る
MISC (2件):
-
中島昭, 立石陽介, 村上寛, 高橋秀知, 太田道春, 小杉亮治, 三谷武志, 西澤伸一, 大橋弘通. 超短パルスレーザを用いたSiCウエハの高速ダイシング加工. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2014. 61st
-
S Nakashima, T Mitani, M Ninomiya, K Matsumoto. Raman investigation of strain in Si/SiGe heterostructures: Precise determination of the strain-shift coefficient of Si bands. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2006. 99. 5. 053512-1-053512-6
学位 (1件):
前のページに戻る