研究者

J-GLOBAL ID：200901049970368067 更新日: 2022年07月04日

橋爪信郎

ハシヅメノブオ | Hashizume Nobuo

所属機関・部署：
職名：教授

研究分野 (1件)：電子デバイス、電子機器

研究キーワード (2件)：オプトエレクトロニクス , Optoelectornics

競争的資金等の研究課題 (4件)：

2000 - 2008 オプトエレクトロニクスデバイスに関する研究
2000 - 2008 Study on optoelectronics devices
プラスティック光ファイバーに関する研究
Research on Plastic Optical Fiber

MISC (10件)：

Y Zhu, JK Twynam, M Yagura, M Hasegawa, T Hasegawa, Y Eguchi, A Yamada, E Suematsu, K Sakuno, H Sato, et al. Analytical model for electrical and thermal transients of self-heating semiconductor devices. IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES. 1998. 46. 12. 2258-2263
K TOMIZAWA, N HASHIZUME. ENSEMBLE MONTE-CARLO SIMULATION OF AN ALGAAS GAAS HETEROSTRUCTURE MIS-LIKE FET. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 1988. 35. 7. 849-856
K TOMIZAWA, Y AWANO, N HASHIZUME, M KAWASHIMA. SIMULATION OF NEAR BALLISTIC ELECTRON-TRANSPORT IN A SUB-MICRON GAAS DIODE WITH ALX GA1-X AS/GAAS HETEROJUNCTION CATHODE. IEE PROCEEDINGS-I COMMUNICATIONS SPEECH AND VISION. 1985. 132. 1. 37-41
粟野祐二. GaAs Ballistic FETの電気的諸特性. 応用物理. 1984. 53. 5. 445-452
Y AWANO, K TOMIZAWA, N HASHIZUME. PRINCIPLES OF OPERATION OF SHORT-CHANNEL GALLIUM-ARSENIDE FIELD-EFFECT TRANSISTOR DETERMINED BY MONTE-CARLO METHOD. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 1984. 31. 4. 448-452

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学歴 (2件)：

- 1963 東京大学工学部電気工学科
- 1963 東京大学

学位 (1件)：

工学博士 (東京大学)

経歴 (3件)：

2000 - 2002 広島工業大学電子・光システム工学科教授
2000 - 2002 Professor, Dept of Electronics and Plutonic
Systems Engineering

委員歴 (1件)：

1995 - 1997 応用物理学会評議員

所属学会 (2件)：

電子情報通信学会 , 応用物理学会

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