研究者
J-GLOBAL ID:200901051268481275   更新日: 2020年08月30日

森 雅之

モリ マサユキ | Mori Masayuki
所属機関・部署:
職名: 准教授
ホームページURL (1件): http://www3.u-toyama.ac.jp/nano/
研究分野 (4件): 電子デバイス、電子機器 ,  薄膜、表面界面物性 ,  結晶工学 ,  応用物性
研究キーワード (2件): 半導体薄膜工学 ,  Semiconductor thin films
競争的資金等の研究課題 (2件):
  • 2007 - 表面再構成制御成長法によるSi上InSb量子井戸作製とその超高速FETへの応用
  • 2007 - Study on the InSb quantum-well on Si and its application for high-speed devices
論文 (66件):
講演・口頭発表等 (82件):
  • Surface reconstruction assisted growth of InSb films on V-grooved Si(001) substrate
    (International Symposium on Quantum Nanophotonics and Nanoelectronics (ISQNN2009) 2009)
  • Au catalyst assisted MBE growth of InSb nanowires on GaAs(001) substrate
    (International Symposium on Quantum Nanophotonics and Nanoelectronics (ISQNN2009) 2009)
  • RF small signal characterization of active transmission lines loaded by InGaAs/AlAs resonant tunneling diodes
    (International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2009) 2009)
  • A third harmonic oscillator using coupled RTD pair oscillators
    (Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2009) 2009)
  • Heteroepitaxial growth of InSb films on the patterned Si(001) substrate
    (14th International Conference on Narrow Gap Semiconductors and Systems (NGSS-14) 2009)
もっと見る
学歴 (4件):
  • - 1998 富山大学 工学研究科 物質生産工学
  • - 1998 富山大学
  • - 1993 富山大学 工学部 電子情報工学科
  • - 1993 富山大学
学位 (1件):
  • 博士(工学) (富山大学)
受賞 (1件):
  • 1998 - 平成9年度応用物理学会北陸支部発表奨励賞
所属学会 (1件):
応用物理学会
※ J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。 登録・更新については、こちらをご覧ください。

前のページに戻る