研究者
J-GLOBAL ID：200901051457319969
更新日: 2020年05月07日
ベ 寅兌
ベ インテ | BAE In-tae
所属機関・部署：
旧所属 大阪大学 大学院工学研究科 (専攻)マテリアル科学専攻
旧所属 大阪大学 大学院工学研究科 (専攻)マテリアル科学専攻 について
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職名：
大学院学生(博士課程)
研究分野 (1件)：
金属材料物性
競争的資金等の研究課題 (2件)：
イオンおよび電子ビームによる半導体材料の改質
Modification of semiconductor materials by ion and electron beam irradiation
MISC (3件)：
IT Bae, TY Seong, YJ Park, EK Kim. Structural study of GaN grown on (001) GaAs by organometallic vapor phase epitaxy. JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS. 1999. 28. 7. 873-877
TY Seong, IT Bae, CJ Choi, DY Noh, Y Zhao, CW Tu. Microstructures of GaN1-xPx layers grown on (0001)GaN substrates by gas source molecular beam epitaxy. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 1999. 85. 6. 3192-3197
Ordening and microstructures of GaN
1-x
As
x
layers grown on(0001)GaN/Sapphire substrates. Electrochemical and Solid-state Letters. 2. 2. 94
学歴 (2件)：
- 1998 光州科学技術院 新素材工学科 半導体材料
- 1996 釜山大学校 工学部 金属工学
学位 (1件)：
修士(工学) (光州科学技術院)
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