研究者
J-GLOBAL ID:200901053265613084
更新日: 2020年08月29日
津田 道信
ツダ ミチノブ | Tsuda Michinobu
所属機関・部署:
旧所属 名城大学 大学院理工学研究科 電気電子工学専攻
旧所属 名城大学 大学院理工学研究科 電気電子工学専攻 について
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職名:
大学院生
研究キーワード (4件):
結晶成長
, 化合物半導体
, Crystal growth
, Compaund Semiconductor
競争的資金等の研究課題 (2件):
2004 - 2005 MOVPE法によるr面サファイア基板上へのGaNのエピタキシャル成長
2004 - 2005 Epitaxial growth of a-plane GaN on r-plane sapphire substrate by MOVPE
MISC (5件):
Impact of H
2
-preannealing of the sapphire substrate on the crystallinity of low-temperature-deposited AlN buffer layer. Japanese Journal of Applied Physics. 2005. Vol. 44, No. 6A, pp.3913-3917
M Tsuda, K Watanabe, S Kamiyama, H Amano, Akasaki, I, R Liu, A Bell, FA Ponce. Mechanism of H-2 pre-annealing on the growth of GaN on sapphire by MOVPE. APPLIED SURFACE SCIENCE. 2003. 216. 1-4. 585-589
M Tsuda, K Watanabe, S Kamiyama, H Amano, Akasaki, I, R Liu, A Bell, FA Ponce. Mechanism of H-2 pre-annealing on the growth of GaN on sapphire by MOVPE. APPLIED SURFACE SCIENCE. 2003. 216. 1-4. 585-589
The surface treatment of sapphire substrate and its effects on the initial stage of GaN growth by MOVPE. Physics Status Solidi (c). 2003. 0, No.7, pp. 2163-2166
M. Tsuda, K. Watanabe, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki. The surface treatment of sapphire substrate and its effects on the initial stage of GaN growth by MOVPE. Physica Status Solidi C: Conferences. 2003. to be published. 7. 2163-2166
特許 (12件):
エピタキシャル基板
エピタキシャル基板およびそれを用いた半導体装置
エピタキシャル基板ならびに半導体装置および窒化物系半導体の結晶成長方法
サファイア基板とそれを用いたエピタキシャル基板およびその製造方法
窒化層を有するサファイア基板およびその製造方法
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Works (6件):
サファイア基板上への窒化物系半導体のエピ成長と電子走行素子応用に関する研究
2005 -
窒化物系半導体のエピ成長と積層構造作製によるサファイア基板の最適化に関する研究
2004 -
サファイア基板上窒化物系半導体の電子デバイス作製とその特性評価
2003 -
サファイア基板上GaN系電子デバイスの作製、及び、その評価
2002 -
GaNエピ成長におけるサファイア基板側のパラメータ探求
2001 -
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所属学会 (2件):
電子情報通信学会
, 日本応用物理学会
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