研究者
J-GLOBAL ID:200901053265613084   更新日: 2020年08月29日

津田 道信

ツダ ミチノブ | Tsuda Michinobu
所属機関・部署:
職名: 大学院生
研究キーワード (4件): 結晶成長 ,  化合物半導体 ,  Crystal growth ,  Compaund Semiconductor
競争的資金等の研究課題 (2件):
  • 2004 - 2005 MOVPE法によるr面サファイア基板上へのGaNのエピタキシャル成長
  • 2004 - 2005 Epitaxial growth of a-plane GaN on r-plane sapphire substrate by MOVPE
MISC (5件):
特許 (12件):
Works (6件):
  • サファイア基板上への窒化物系半導体のエピ成長と電子走行素子応用に関する研究
    2005 -
  • 窒化物系半導体のエピ成長と積層構造作製によるサファイア基板の最適化に関する研究
    2004 -
  • サファイア基板上窒化物系半導体の電子デバイス作製とその特性評価
    2003 -
  • サファイア基板上GaN系電子デバイスの作製、及び、その評価
    2002 -
  • GaNエピ成長におけるサファイア基板側のパラメータ探求
    2001 -
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所属学会 (2件):
電子情報通信学会 ,  日本応用物理学会
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