研究者

J-GLOBAL ID：200901055415084533 更新日: 2024年04月17日

松岡隆志

マツオカタカシ | Matsuoka Takashi

所属機関・部署：
職名：教授
ホームページURL (1件)： https://www.matsuoka-lab.niche.tohoku.ac.jp/

研究分野 (5件)：応用物理一般 , ナノバイオサイエンス , ナノ材料科学 , 電気電子材料工学 , 電子デバイス、電子機器

研究キーワード (10件)：半導体 , 窒化物半導体 , ワイドギャップ半導体 , 半導体発光素子 , 分布帰還型レーザ , 青色発光ダイオード , 有機金属気相成長 , 薄膜成長 , 窒化インジウム , 窒化ガリウム

競争的資金等の研究課題 (19件)：

2016 - 2019 窒素極性窒化物半導体による二次元電子ガス発生構造の成長技術
2016 - 2019 非対称導波路結合光子・フォトキャリア直交型マルチストライプ半導体太陽電池の研究
2016 - 2019 窒素極性InGaNチャネルヘテロ構造を用いた高電子移動度トランジスタの研究
2016 - 2019 窒化物半導体デバイスに印加される分極電界の観測と制御
2015 - 2018 高効率低コストLEDを実現する GaNベース基板の開発

全件表示

論文 (127件)：

Takashi Matsuoka, Hitoshi Morioka, Satoshi Semboshi, Yukihiko Okada, Kazuya Yamamura, Shigeyuki Kuboya, Hiroshi Okamoto, Tsuguo Fukuda. Properties of ScAlMgO4 as Substrate for Nitride Semiconductors. Crystals. 2023. 13. 3. 449-449
T. Matsuoka, T. Mitate, S. Mizuno, H. Takahata, T. Tanikawa. N-Polar Gowth of Nitride Semiconductors with MOVPE and its Applications. J. Cryst. Growth. 2023. 65. 127056
K. Prasertsuk, T. Suemitsu, T. Matsuoka. Reverse bias annealing effects in N-polar GaN/AlGaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors. Jpn. J. Appl. Phys. 2022. 61. SA1006
T. M. Inerbaev, T. Matsuoka, Y. Kawazoe. Optical Band Gap Energy Values in Wurtzite InxGa1-xN. Bulletin of The University of Karaganda-Physics. 2022. 105. 107-116
V. Suresh Kumar, S. Y. Ji, Y. T. Zhang, K. Shojiki, J. H. Choi, T. Kimura, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka. Dependence of the V/III Ratio on Indium Incorporation in InGaN Films Grown by Metalorganic Vapour Phase Epitaxy. JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY. 2020. 20. 5. 2979-2986

MISC (15件)：

谷川智之, 小島一信, 秩父重英, 松岡隆志. GaNの二光子励起フォトルミネッセンス測定における自己吸収の影響. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2018. 65th
谷川智之, プラスラットスックキャッティウット, 木村健司, 窪谷茂幸, 松岡隆志. 有機金属気相成長法によるN極性窒化物半導体の成長技術 (特集特異構造の結晶科学 : 結晶成長と構造・物性相関). 日本結晶成長学会誌 Journal of the Japanese Association for Crystal Growth. 2018. 45. 1. 8p
松岡隆志. 分布帰還型レーザと青色発光素子の研究開発. 電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ News Letter. 2018. 168. 1. 6-8
T. Matsuoka, Y. Liu, T. Kimura, R. Katayama. Possibility of Pressurized-Reactor MOVPE for Nitride Semiconductors. Proceedings of LED 2011. 2011
松岡隆志. 窒化物半導体の有機金属気相成長. 金属. 2009. 79. 11. 23-28

特許 (79件)：

書籍 (8件)：

Epitaxial Growth of III-Nitride Compounds ~Computational Approach~
Springer 2018
未来をさがそう韓国語版
ダイヤモンド社 2007
未来をさがそう
ダイヤモンド社 2005
Advanced Materials in Electronics 2004
Research Signpost 2004
新編光学材料ハンドブック
株式会社リアライズ社 2000

講演・口頭発表等 (608件)：

Progress of Compound Semiconductors for the Last Half Century ~from GaAs to GaN, and from Epitaxial Growth to Devices~
(The 23rd RIES-Hokudai International Symposium “拓 [Taku])
N-Polar Growth of Nitride Semiconductors with MOVPE and its Applications
(20th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XX))
Growth and Devices of N-Polar Nitride Semiconductors
(Advanced Materials and Semiconductor Technology Workshop 2021)
The Drawn to the Future of Nitride Semiconductors
(3rd Global Conference & Expo on Materials Science and Engineering (ISTMAE-2021) 2021)
Evidence of carrier trapping at extrinsic gate region in N-polar GaN/AlGaN MIS HEMTs
(13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma) 2021)

学歴 (2件)：

1976 - 1978 北海道大学工学研究科修士課程電子工学専攻
1972 - 1976 北海道大学工学部電子工学科

学位 (1件)：

工学博士 (北海道大学)

経歴 (17件)：

2023/04 - 現在電子情報通信学会正員(終身)
2023/01 - 現在 IEEE ライフフェロー
2022/01 - 現在日本結晶成長学会
2019/04 - 現在東北大学未来科学技術共同研究センター特任教授
2019/04 - 現在東北大学名誉教授

全件表示

委員歴 (42件)：

2010/01 - 現在 The Open Applied Physics Journal 副編集委員長
2022/10 - 科学研究費補助金S 意見書策定委員
2020/11 - 2021/03 電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ賞選定委員
2017/11 - 2020 イムラ・ジャパン賞審査委員
2017/12 - 2019/01 日本学術振興会科学研究費補助金基盤研究Sおよび新学術領域審査委員

2017/11 - 2018/11 応用物理学会フェロー選考委員

2016/12 - 2017/08 日本学術振興会科学研究費補助金特別推進審査委員

2012/08 - 2017/03 文部科学省科学技術政策研究所科学技術動向研究センター専門調査員

2015/12 - 2017/01 日本学術振興会科学研究費補助金基盤研究AおよびB 審査委員

2016/01 - 2016/09 European Materials Research Society (E-MRS) Fall Meeting Session organizer of “Nitride semiconductors for high power and high frequency electronic devices II

2015/12 - 2016/08 18th Intern. Conf. Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE), Session organizer of “III-V semiconductors

2011/05 - 2016/03 APEX/JJAP 編集委員

2013/07 - 2014/09 Japanese Journal of Applied Physics Selected Topics in Applied Physics “Progress of Nitride Semiconductors and their Future Prospects” 特別編集委員長

2012/12 - 2014/01 日本学術振興会科学研究費補助金審査委員

2013/01 - 2013/10 2013 International Symposium on Optomechatronic Technologies, Special session “Current Status and Future Prospects of Nitride Semiconductors” セッションオーガナイザ

2013/01 - 2013/10 2013 International Symposium on Optomechatronic Technologies, Special session “Current Status and Future Prospects of Nitride Semiconductors” 大会委員長

2012/10 - 2012/12 International Workshop on Nitrides (IWN2012), JJAP特集号編集委員

2008/10 - 2009/10 2009 Asian Core Workshop on Wide Bandgap Semiconductors in Korea, SI-1, (Gyeongju, Korea, Oct. 23-24, 2009) 大会委委員長

2008/09 - 2009/09 2009 Asian Core Workshop on Wide Bandgap Semiconductors in Korea, SI-1, (松島, 日本, Sept. 4-5, 2009) 大会委員長

2008 - 2009 SPIE International Symposium on Optomechatronic Technologies (SPIE-ISOT’09), Istanbul プログラム委員

2008/06 - 2008/12 14th Intern. Conf. Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy 2008 (ICMOVPE, 2008.6.1-6), Metz publication committee

2007/08 - 2008/12 2nd International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-2, 2008.7.6-9), 伊豆出版副委員長

2006/08 - 2008/08 応用物理学会論文賞選考委員

2007/08 - 2008/07 2nd International Symposium on Growth of III-Nitrides 出版副委員長

2007/07 - 2008/05 4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-4, 2008.5.22-24), 仙台セッションチェア

2006/03 - 2007/05 19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM’07) プログラム委員

2006/01 - 2006/10 電子情報通信学会和文論文誌C 次世代ナノテクノロジー特集号編集委員

2004/03 - 2006/02 電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ次世代ナノ技術に関する時限研究専門委員

2005 - 2006 International Workshop on Nitrides (IWN2006) 実行委員およびプログラム委員(セッションチェア).

2005 - 2006 International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE’06) 実行委員.

2004 - 2005 SPIE International Symposium on Optomechatronic Technologies (SPIE-ISOT’05) 実行委員

2004 - 2005 Pacific Rim Con. Lasers and Electro-Optics (CLEO/Pacific Rim '05) セッション論文委員

2004/06 - The Chinese Academy of Science-Croucher Foundation International Reviewer on a proposal of The Chinese Academy of Science-Croucher Foundation

2000/12 - 2001/03 Science Foundation Ireland (SFI) International Reviewer on a specific SFI proposal

1999 - 2001 電子材料シンポジウム実行委員

1995 - 2000 European GaN Workshop (EGW) 国際諮問委員

1997 - 1999 電子材料シンポジウム論文委員

1997 - 1998 International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes (ISBLLED'98) 実行委員及び副プログラム委員長

1995/06 - 1997/05 日本電子材料協会光・半導体デバイス委員会幹事

1996 - 1997 International Conference on Nitrides semiconductor (ICNS'97) 実行委員及びプログラム委員

1994 - 1995 Topical Workshop on III-V Nitrides (TWN'95) Topical Workshop on III-V Nitrides (TWN'95)

1994 - 1995 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials-95 (ICSCRM-95) プログラム委員

全件表示

受賞 (30件)：

2023/01 - IEEE IEEE フェロー表彰 "For Contributions to Laser Diodes for Optical Communications and Nitride Semiconductors for Light Emitting Devices",
2021/04 - ISPlasma 2021/IC-PLANTS 2021 ISPlasma 2021/IC-PLANTS 2021における最優秀講演賞 "Evidence of Carrier Trapping at Extrinsic Gate Region in N-Polar GaN/AlGaN MIS HEMTs"
2019/09 - 応用物理学会第41回応用物理学会優秀論文賞 ”Three-Dimensional Imaging of Threading Dislocations in GaN Crystals using Two-Photon Excitation Photoluminescence”
2018/03 - 公益社団法人応用物理学会第8回(平成29年度)応用物理学会化合物半導体エレクトロニクス業績賞(赤﨑勇賞) 「InGaN系混晶半導体のエピタキシャル成長技術に関する先駆的研究」
2018/01 - 河北新報社第69回(平成29年度)河北文化賞「赤外から青色までの半導体材料とその素子応用によるエレクトロニクスの発展への貢献」

2017/09 - 電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ賞, 光半導体およびフォトニクス分野「長波長帯分布帰還型レーザの開発と窒化物半導体基礎物性の解明によるエレクトロニクスへの貢献」

2017/04 - 文部科学省平成29年度文部科学大臣表彰科学技術賞「新しい半導体材料の開発とその素子応用に関する研究」

2017/03 - 応用物理学会第42回(2017年春季)応用物理学会講演奨励賞「二光子励起フォトルミネッセンス法によるGaN中の貫通転位の三次元分布評価」

2016/08 - 日本結晶成長学会日本結晶成長学会第11回業績賞および赤﨑勇賞「光ファイバ通信・青色発光素子用結晶の先駆的成長技術」

2016/03/25 - 東北大学平成27年度総長優秀学生賞

2016/03 - 日本学術振興会第6回日本学術振興会育志賞「-c面窒化インジウムガリウム混晶の有機金属気相成長と光学素子応用」

2016/03 - 第7回薄膜太陽電池セミナー組織委員会第7回薄膜太陽電池セミナー優秀ポスター賞「InGaN/GaN 太陽電池の格子極性と発電特性」

2016/01 - 応用物理学会東北支部第20回応用物理学会東北支部講演奨励賞「N極性(000-1)p型GaNのMOVPE成長における Mg/Ga・V/III 原料供給比の正孔濃度への影響」

2014/12 - 応用物理学会第19回応用物理学会東北支部講演奨励賞「MOVPE法による可視光全域波長の発光を有するN 極性(000-1)InGaN 発光ダイオードの作製」

2014/11 - 応用物理学会第37回(2014年秋季)応用物理学会講演奨励賞「サファイア基板上MOVPE成長N極性面(000-1) InGaNを用いた赤・緑・青色発光ダイオードの作製」

2014/11 - 東北大学金属材料研究所第128回金属材料研究所講演会優秀ポスター賞「転位低減に向けたN 極性(000-1)面GaN のMOVPE 選択成長」

2014/11 - 東北大学金属材料研究所第128回金属材料研究所講演会優秀ポスター賞「MOVPE成長N極性(000-1)InGaN発光ダイオードによる可視光全域波長での発光の実現」

2014/09 - 応用物理学会第8回(2014年度)応用物理学会フェロー表彰「長波長DFB-LDと窒化物の研究による半導体光素子の開発」

2014/05 - 東北大学金属材料研究所第127回金属材料研究所講演会ポスター賞「サファイア窒化AIN基板を用いたMOVPE法によるN極性GaNの成長」

2014/04 - The Japana Society of Applied Physics APEX/JJAP Editorial Contribution Award

2014/03 - 東北大学金属材料研究所 2013年度卓越補助金「材料インテグレーション拠点・知能デバイス拠点合同成果報告会」ポスタ賞 Observation of Indium Content Distribution on m-plane InGaN Film with Hillocks

2013/11 - 東北大学金属材料研究所第126回金属材料研究所講演会優秀ポスター賞サイファイア基板上(000-1)GaNの有機金属気相成長におけるMgによる表面マイグレーションの促進

2013/09 - 応用物理学会第74回応用物理学会秋季講演会ポスター賞ヒロック形成にともなうm面InGaN薄膜のIn組成分布観察

2013/09 - 応用物理学会第74回応用物理学会秋季講演会ポスタ賞

2012/12 - 応用物理学会東北支部第17回(2012年度)応用物理学会東北支部講演奨励賞 (0001)面、(000-1)面GaN上へMOVPE成長したInGaNの表面モフォロジーとIn取り込み

2011/03/25 - 東北大学東北大学総長賞

2009/11 - 科学技術振興機構 CREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」研究領域第二回公開シンポジウムポスター賞温度安定性に優れた光通信用InN半導体レーザの研究

2003/03 - 日本電信電話株式会社 NTT物性科学研究所長表彰論文賞 "Optical Band-Gap Energy of Wurtzite InN", Appl. Phys. Lett., 81(2002)1246

1988/10 - 日本電信電話株式会社 NTT社長表彰超高速・長スパン光ファイバ伝送技術の開発

1984/09 - ヨーロッパ光通信国際会議 ECOC Prize 1984 (the best paper of 10th European Conference on Optical Communication) Verification of the Light Phase Effect at the Facet on DFB Laser Properties

全件表示

所属学会 (6件)：

日本結晶成長学会 , The international Society for Optics and Photonics (SPIE) , Materials Research Society (MRS) , The Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE) , 電子情報通信学会 , 日本応用物理学会

※　J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。登録・更新については、こちらをご覧ください。

前のページに戻る

松岡 隆志

松岡隆志