研究者
J-GLOBAL ID:200901057542156384   更新日: 2024年02月01日

酒井 朗

サカイ アキラ | Sakai Akira
所属機関・部署:
職名: 教授
研究分野 (4件): 無機材料、物性 ,  薄膜、表面界面物性 ,  結晶工学 ,  応用物性
競争的資金等の研究課題 (26件):
  • 2020 - 2024 酸素空孔分布のトポロジー制御を機能原理とするヘテロシナプスプラットフォームの創生
  • 2021 - 2023 介在ニューロン機能を有する人工シナプスクロスバーアレイメモリスタの構築
  • 2020 - 2023 OVPE法による超低抵抗・厚膜GaN結晶成長技術
  • 2016 - 2021 総括班
  • 2016 - 2021 結晶特異構造およびその挙動のマルチスケール構造解析評価
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論文 (575件):
  • Yudai Nakanishi, Yusuke Hayashi, Takeaki Hamachi, Tetsuya Tohei, Yoshikata Nakajima, Shiyu Xiao, Kanako Shojiki, Hideto Miyake, Akira Sakai. Micro- and Nanostructure Analysis of Vapor-Phase-Grown AlN on Face-to-Face Annealed Sputtered AlN/Nanopatterned Sapphire Substrate Templates. Journal of Electronic Materials. 2023
  • Takeaki Hamachi, Tetsuya Tohei, Yusuke Hayashi, Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Yusuke Mori, Akira Sakai. Comprehensive analysis of current leakage at individual screw and mixed threading dislocations in freestanding GaN substrates. Scientific Reports. 2023. 13. 1
  • Kento Sato, Yusuke Hayashi, Naoki Masaoka, Tetsuya Tohei, Akira Sakai. High-temperature operation of gallium oxide memristors up to 600 K. Scientific Reports. 2023. 13. 1
  • Naoki Masaoka, Yusuke Hayashi, Tetsuya Tohei, Akira Sakai. Interface engineering of amorphous gallium oxide crossbar array memristors for neuromorphic computing. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. 62. SC. SC1035-SC1035
  • Taishi Ikeuchi, Yusuke Hayashi, Tetsuya Tohei, Akira Sakai. Gate-tunable plasticity in artificial synaptic devices based on four-terminal amorphous gallium oxide memristors. Applied Physics Express. 2023. 16. 1. 015509-015509
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MISC (355件):
  • 濱地威明, 藤平哲也, 林侑介, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 森勇介, 隅谷和嗣, 今井康彦, 木村滋, 酒井朗. ナノビームX線回折によるHVPE-GaNバルク結晶における単独貫通転位周辺の局所歪解析. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 68th
  • 山本望, 林侑介, 濱地威明, 中西悠太, 藤平哲也, 隅谷和嗣, 今井康彦, 木村滋, 正直花奈子, 三宅秀人, et al. ナノビームX線回折法によるNPSS上AlN厚膜の深さ分解結晶性トモグラフィック評価. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 68th
  • 安達健太, 林侑介, 藤平哲也, 酒井朗. 4端子平面型TiO2-xメモリスタ素子におけるゲート制御に基づくシナプス特性の変調. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 68th
  • 池内太志, 林侑介, 藤平哲也, 酒井朗. 4端子平面型アモルファスGaOxメモリスタ素子の開発と抵抗変化特性評価. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 68th
  • 塩見春奈, 嶋田章宏, 藤平哲也, 林侑介, 金木奨太, 橋詰保, 今井康彦, 隅谷和嗣, 木村滋, 酒井朗. AlGaN/GaN HEMTデバイスにおける局所圧電格子変形の放射光ナノビームX線回折オペランド計測. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 68th
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特許 (43件):
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Works (5件):
  • GaN結晶膜およびGaN系半導体素子(特許)
    1998 -
  • 半導体結晶の作製方法(特許)
    1996 -
  • (]G0048[)誘電率膜キャパシタ(特許)
    1995 -
  • アモルファスシリコン膜の形成方法(特許)
    1993 -
  • 半導体装置の製造方法(特許)
    1992 -
学位 (1件):
  • 博士(工学)
受賞 (2件):
  • 2003/03 - 財団法人大河内記念会 第49回(平成14年度)大河内賞記念賞 大容量DRAM用HSG-Siキャパシタの開発と実用化
  • 1999 - 応用物理学会賞A論文賞
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