研究者
J-GLOBAL ID：200901058110455840
更新日: 2024年04月04日
板谷 太郎
イタタニ タロウ | Itatani Taro
所属機関・部署：
職名：
上級主任研究員
ホームページURL (1件)：
http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=T92719028
研究分野 (3件)：
電子デバイス、電子機器
, 複合材料、界面
, 光工学、光量子科学
研究キーワード (5件)：
化合物半導体
, 光実装
, レーザー
, リソグラフィー
, 光エレクトロニクス
競争的資金等の研究課題 (1件)：
論文 (41件)：
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Takehiko Oe, Sucheta Gorwadkar, Taro Itatani, Nobu-Hisa Kaneko. Development of 1 M Omega Quantum Hall Array Resistance Standards. IEEE TRANSACTIONS ON INSTRUMENTATION AND MEASUREMENT. 2017. 66. 6. 1475-1481
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Takehiko Oe, Sucheta Gorwadkar, Taro Itatani, Nobu-Hisa Kaneko. Development of 1-M Omega Quantum Hall Array Resistance Standards. 2016 CONFERENCE ON PRECISION ELECTROMAGNETIC MEASUREMENTS (CPEM 2016). 2016
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Xiao Yu, Rui Zhang, Jian Kang, Tatsuro Maeda, Taro Itatani, Takenori Osada, Masahiko Hata, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi. Ultrathin Body Germanium-on-Insulator (GeOI) Pseudo-MOSFETs Fabricated by Transfer of Epitaxial Ge Films on III-V Substrates. ECS SOLID STATE LETTERS. 2015. 4. 2. P15-P18
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Tatsuro Maeda, Hiroyuki Ishii, Taro Itatani, Eiko Mieda, Wipakorn Jevasuwan, Yuichi Kurashima, Hideki Takagi, Tetsuji Yasuda, Tomoyuki Takada, Taketsugu Yamamoto, et al. Ultrathin layer transfer technology for post-Si semiconductors. MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2013. 109. 133-136
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Takehiko Oe, Kenjiro Matsuhiro, Taro Itatani, Sucheta Gorwadkar, Shogo Kiryu, Nobu-hisa Kaneko. New Design of Quantized Hall Resistance Array Device. IEEE TRANSACTIONS ON INSTRUMENTATION AND MEASUREMENT. 2013. 62. 6. 1755-1759
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MISC (37件)：
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塩田隆, 大木敦己, 天野佳之, 二之宮成樹, 二之宮成樹, 森貴洋, 大平恒公, 板谷太郎, 安藤淳. 自己検知型AFM式ナノプローバによる遷移金属ダイカルコゲナイド薄片試料の電気特性評価. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2014. 61st. ROMBUNNO.18A-E2-5
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前田辰郎, 卜部友二, 板谷太郎, 石井裕之, 宮田典幸, 安田哲二, 山田永, 秦雅彦, 横山正史, 竹中充, et al. 世界初の超微細III-V/Ge CMOSトランジスタ 高性能異種チャネルCMOSへの新たな道筋. 産総研TODAY(Web). 2011. 11. 12. 14 (WEB ONLY)
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前田辰郎, 卜部友二, 板谷太郎, 石井裕之, 宮田典幸, 安田哲二, 山田永, 秦雅彦, 横山正史, 竹中充, et al. 共通メタルS/D&ゲートを用いた微細III-V/Ge CMOS技術の開発. 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2011. 72nd. ROMBUNNO.1A-P7-8
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安田哲二, 卜部友二, 石井裕之, 板谷太郎, 宮田典幸, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一. InP/InGaAs埋め込みチャネル構造によるMISFET移動度改善. 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM). 2011. 58th. ROMBUNNO.26A-KD-8
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宮田典幸, 石井浩之, 板谷太郎, 安田哲二. 直接接合HfO2/Si MOSFETの界面ダイポールとチャネル移動度. 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM). 2011. 58th. ROMBUNNO.26A-KW-2
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学位 (1件)：
受賞 (1件)：
所属学会 (1件)：
The Japan Society of Applied Physics
