垣内拓大

カキウチタクヒロ | Kakiuchi Takuhiro

所属機関・部署：
職名：特任准教授/講師

研究分野 (4件)：量子ビーム科学 , 基礎物理化学 , 半導体、光物性、原子物理 , 電子デバイス、電子機器

研究キーワード (9件)：表面界面 , 表面物性 , 量子化学 , 半導体 , 構造化学 , オージェ電子分光法 , X線光電子分光法 , コインシデンス分光 , 表面科学

競争的資金等の研究課題 (14件)：

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論文 (30件)：

MISC (17件)：

垣内拓大, 白石朗, 山根亮太郎, 矢野貴大, 津田泰孝, 吉越章隆. 超音速酸素分子線照射によるHfSi₂/Si(111)表面の酸化と反応障壁高さ. 日本表面真空学会学術講演会要旨集(Web). 2021. 2021
垣内拓大, 山崎英輝, 塚田千恵, 塚田千恵, 吉越章隆. Si(100)-2×1清浄表面に作製したハフニウム超薄膜の酸素吸着と脱離. 分子科学討論会講演プログラム&要旨(Web). 2018. 12th. ROMBUNNO.2P049 (WEB ONLY)
垣内拓大, 山崎真寛, 間瀬一彦. Si(110)清浄表面上に作製したハフニウムシリサイド超薄膜の表面界面を選別した局所価電子状態. PF Act. Rep. 2016. 2017. 34
垣内拓大, 中納佑二, 長岡伸一, 間瀬一彦. Si(110)-16×2シングルドメイン清浄表面への水素吸着過程とその表面物性. 物構研サイエンスフェスタ要旨集. 2015. 3rd
垣内拓大, 桂木拓磨, 中納佑二, 吉越章隆, 長岡伸一, 間瀬一彦. 低速電子回折と電子分光法によるHf蒸着Si(110)-16×2シングルドメイン表面の研究. 表面科学学術講演会要旨集. 2015. 35. 0. 138-138

講演・口頭発表等 (68件)：

ハフニウムが吸着したSi(111)基板の局所/全域で進行する酸化反応機構
(第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023)
超音速酸素分子線照射による非平衡ハフニウム吸着シリコン(111) 表面界面での酸化反応
(第16回分子科学討論会 2022横浜 2022)
超音速酸素分子線照射によるHfSi2/Si(111)表面の酸化と反応障壁高さ
(2021年日本表面真空学会学術講演会 2021)
内殻光電子分光法によるHf/Si(111)超薄膜表面界面の酸化ダイナミクス
(第15回分子科学討論会 2021)
PFハイブリッドモード用パルスセレクターを用いた内殻励起イオン脱離計測
(第34回日本放射光学会年会放射光科学合同シンポジウム 2021)

学歴 (5件)：

経歴 (3件)：

2023/04 - 現在愛媛大学大学院理工学研究科特任准教授/講師
2008/04 - 2023/03 愛媛大学大学院理工学研究科環境機能科学専攻助教(特任講師)
2017/08 - 2018/08 Helmholtz Zentrum Berlin Methods and Instrumentation for Synchrotron Radiation Research Guest Researcher

委員歴 (2件)：

受賞 (2件)：

所属学会 (4件)：

分子科学会 , 日本表面科学会 , 日本物理学会 , 日本化学会

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