研究者
J-GLOBAL ID：200901059334626094   更新日: 2024年01月30日

干川 圭吾

ホシカワ ケイゴ | Hoshikawa Keigo
所属機関・部署：
信州大学 工学部 電子情報システム工学科

信州大学 工学部 電子情報システム工学科 について


研究分野 (1件)： 電気電子材料工学
研究キーワード (1件)： バルク結晶成長 シリコン単結晶 化合物半導体結晶 酸化物結晶 サファイア 酸化ガリウム単結晶
競争的資金等の研究課題 (13件)：
  • 2010 - 2012 酸化ホウ素で覆われた融液からのゲルマニウム結晶成長における酸素の輸送機構の解明
  • 2006 - 2007 不純物添加高結合ニオブ酸カリウム単結晶の育成と分域制御技術の確立
  • 2005 - 2006 シリコン融液/石英ガラスの界面反応制御に関する研究
  • 2003 - 2004 科学者の「問いの連鎖」に学ぶWEBベース学習支援システムとコンテンツの開発
  • 2002 - 2004 電場・磁場を同時に用いた対流高精度制御半導体結晶成長法の創製
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論文 (17件)：
  • Etsuko Ohba, Takumi Kobayashi, Motohisa Kado, Keigo Hoshikawa. Defect characterization of beta-Ga2O3 single crystals grown by vertical Bridgman method. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2016. 55. 12
  • Yasuyuki Fujiwara, Toshinori Taishi, Keigo Hoshikawa, Keiichi Kohama, Hideki Iba. Anisotropy of ionic conduction in single-crystal LixLa( 1-x )/3NbO3 solid electrolyte grown by directional solidification. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2016. 55. 9
  • Seiya Yamada, Masafumi Yoshimura, Shin-ichi Sakata, Toshinori Taishi, Keigo Hoshikawa. Colony structure in Ce-doped Al2O3/YAG eutectic systems grown by vertical Bridgman technique. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2016. 448. 1-5
  • Takaomi Suzuki, Kou Shirotsuki, Toshinori Taishi, Keigo Hoshikawa. Contact angle of sapphire melt and bubble generation on crucible material. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2014. 401. 508-510
  • Chihiro Miyagawa, Takumi Kobayashi, Toshinori Taishi, Keigo Hoshikawa. Development of the vertical Bridgman technique for 6-inch diameter c-axis sapphire growth supported by numerical simulation. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2014. 402. 83-89
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MISC (17件)：
  • HOSHIKAWA Takeshi, TAISHI Toshinori, HUANG Xinming, UDA Satoshi, YAMATANI Muneyoshi, SHIRASAWA Katsuhiko, HOSHIKAWA Keigo. Si multicrystals grown by the Czochralski method with multi-seeds. J. Cryst. Growth. 2007. 307. 2. 466-471
  • TAISHI Toshinori, HOSHIKAWA Takeshi, YAMATANI Muneyoshi, SHIRASAWA Katsuhiko, HUANG Xinming, UDA Satoshi, HOSHIKAWA Keigo. Influence of crystalline defects in Czochralski-grown Si multicrystal on minority carrier lifetime. J. Cryst. Growth. 2007. 306. 2. 452-457
  • TAISHI Toshinori, HUANG Xinming, YONENAGA Ichiro, HOSHIKAWA Keigo. Dislocation-free Czochralski Si crystal growth without a thin neck: dislocation behavior due to incomplete seeding. Journal of Crystal Growth. 2003. 258. 58-64
  • Huang Xinming, Sato Tsuyoshi, Nakanishi Masami, Taishi Toshinori, Hoshikawa Keigo. High Strength Si Wafers with Heavy B and Ge Codoping. Japanese journal of applied physics. Pt. 2, Letters. 2003. 42. 12B. L1489-L1491
  • Yu Xuegong, Taishi Toshinori, Huang Xinming, Yang Deren, Hoshikawa Keigo. Dislocation Formation in Czochralski Si Crystal Growth Using an Annealed Heavily B-Doped Si Seed. Japanese journal of applied physics. Pt. 2, Letters. 2003. 42. 11A. L1299-L1301
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書籍 (11件)：
  • Vertical Bridgman Growth Method
    Springer 2020
  • Growth of β-Ga2O3 single crystal
    Elsevier Inc 2019
  • 結晶育成装置の開発と育成技術
    通研半導体技術史(装置編)編集委員会 2016
  • シリコン結晶技術 -成長・加工・欠陥制御・評価- 「CZ法」
    日本学術振興会第145委員会 技術の伝承プロジェクト編集委員会編 2015
  • サファイア結晶成長技術の最新動向
    電子ジャーナル出版 2013
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学歴 (3件)：
  • - 1969 信州大学 工学研究科
  • - 1967 信州大学 工学部
  • - 1967 信州大学
学位 (1件)：
  • 工学博士
経歴 (5件)：
  • 2014/04 - 2017/03 信州大学 工学部 特任教授
  • 2008/04 - 2014/03 信州大学 工学部 客員教授
  • 1992 - - 信州大学 教育学部 教授
  • 1990 - - 東北大学 金属材料研究所 助教授
  • 1987 - - NTTLSI研究所 主幹研究員
委員歴 (4件)：
  • 1976/01 - 2007/03 日本学術振興会結晶加工と評価技術第145委員会 幹事
  • 1996/04 - 2006/10 日本学術振興会結晶成長の科学と技術第161委員会 幹事
  • 1993/04 - 1997/03 日本結晶成長学会 バルク成長分科会幹事長
  • 1993/04 - 1996/03 応用物理学会 欧文誌(Jpn.J.Appl.Phsy)論文編集委員
受賞 (9件)：
  • 2018/11 - 日本結晶成長学会 業績賞・赤崎勇賞 機能性バルク単結晶育成技術の開拓と実用化
  • 2014/07 - 信濃毎日新聞社 信毎賞 多種の機能性単結晶の研究開発と実用化により電子産業界への多大な貢献
  • 2012/09 - 応用物理学会 応用物理学会フェロー表彰
  • 2004/08 - 日本結晶成長学会 貢献賞
  • 2003/07 - 日本結晶成長学会 論文賞
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所属学会 (6件)：
日本産業技術教育学会 ,  米国電気化学会(ECS) ,  日本結晶成長学会 ,  日本金属学会 ,  応用物理学会 ,  電子情報通信学会
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